特許

J-GLOBAL ID：201403087159541103

人工水晶育成用ハードウエア・圧力容器及びこれらのハードウエア・圧力容器を用いて人工水晶を育成する方法ならびにこの方法により育成した人工水晶

発明者： 高橋 純史 ,  松元 健
出願人/特許権者： 日本電波工業株式会社
代理人 (3件)： 大川 晃 ,  天野 正景 ,  小野寺 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-248264
公開番号（公開出願番号）：特開2014-094868
出願日： 2012年11月12日
公開日（公表日）： 2014年05月22日
要約：

【課題】微結晶(異物:インクルージョン)の含有量の少ない高品質の人工水晶の育成方法を提供する。【解決手段】人工水晶育成用のハードウエア(原料入れ13、対流制御板14、育成枠15)の表面と圧力容器10の内壁面10aに、人工水晶の育成に先行して工業的にマグネタイト層を形成し、このマグネタイト層上にアクマイト層を、さらにこのアクマイト層上にエメリューサイト層を形成してから、水熱合成法に人工水晶を育成する。これにより、前記ハードウエアに含まれる鉄分、水晶、育成溶液が反応して生成される不純物から副生成される微結晶(異物:インクルージョン)の含有量の少ない高品質の人工水晶を多量に育成することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

人工水晶育成用のハードウエアと圧力容器において、前記ハードウエアの表面と前記圧力容器の内壁面とに、本育成に先行して工業的にマグネタイト層を形成し、前記マグネタイト層上にアクマイト層を、さらに、前記アクマイト層上にエメリューサイト層を順次形成したことを特徴とする人工水晶育成用ハードウエア及び圧力容器。

IPC (3件)：

C30B 29/18 ,  C30B 7/10 ,  C01B 33/12

FI (3件)：

C30B29/18 ,  C30B7/10 ,  C01B33/12 B

Fターム (15件)：

4G072AA31 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072HH15 ,  4G072HH36 ,  4G072JJ22 ,  4G072JJ30 ,  4G072MM21 ,  4G072RR19 ,  4G072RR20 ,  4G077AA02 ,  4G077BB03 ,  4G077CB03 ,  4G077EG25 ,  4G077KA12