特許
J-GLOBAL ID：201403087478694133
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-237427
公開番号（公開出願番号）：特開2013-034003
特許番号：特許第5466280号
出願日： 2012年10月29日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 平面形状が長辺と短辺とを有する長方形形状をした半導体チップを含む半導体装置において、
前記半導体チップは、
(a)半導体基板と、
(b)前記半導体基板上に形成された半導体素子と、
(c)前記半導体素子上に形成された多層配線層と、
(d)前記多層配線層の最上層に形成された複数のパッドと、
(e)前記複数のパッドのそれぞれ上に形成され、前記複数のパッドのそれぞれに達する開口部を有する表面保護膜と、
(f)前記表面保護膜上に形成され、前記開口部を埋め込むことにより前記複数のパッドのそれぞれと電気的に接続する長方形形状をした複数のバンプ電極のそれぞれと、を備え、
前記多層配線層の最上層には、
(g)前記複数のパッドの他に電源配線あるいは信号配線よりなる第1配線と、
(h)前記第1配線とは異なるダミーパターンが形成されている半導体装置であって、
前記複数のバンプ電極は、前記複数のバンプ電極のそれぞれの長辺を前記半導体チップの短辺方向に向けた状態で、少なくとも前記半導体チップの長辺方向に並んで配置され、
前記複数のバンプ電極のそれぞれは、前記複数のパッドのそれぞれと平面的に重なる重複領域と、前記複数のパッドのそれぞれと平面的に重ならない非重複領域を有し、
前記複数のバンプ電極のそれぞれにおける前記非重複領域の下層には、前記複数のパッドと同層で形成された前記第1配線が、平面的に見て前記複数のバンプ電極と交差するように前記半導体チップの長辺方向に延在するように形成され、
前記複数のバンプ電極の周辺領域で、前記半導体チップの前記長辺方向において隣接する前記複数のパッドの間に前記ダミーパターンが形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/60 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
H01L 21/92 602 J
, H01L 21/92 602 Z
, H01L 21/88 T
