特許

J-GLOBAL ID：201403087808228428

基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

発明者： ▲たか▼木 康祐 ,  赤江 尚徳 ,  寺崎 昌人 ,  大野 幹雄
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (3件)： 福岡 昌浩 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-117280
公開番号（公開出願番号）：特開2014-236129
出願日： 2013年06月03日
公開日（公表日）： 2014年12月15日
要約：

【課題】 複数の基板を収容した処理室内へ水素含有ガス及び酸素含有ガスを供給して基板を処理する際、基板処理の生産性を低下させることなく、基板処理の面間均一性および面内均一性を向上させる。【解決手段】 間隔を空けて配列された複数の基板を収容して処理する処理室と、基板の配列方向に沿って延在するように配設され、処理室内へ水素含有ガスを供給する第1ノズルと、基板の配列方向に沿って延在するように配設され、処理室内へ酸素含有ガスを供給する第2ノズルと、を備え、第1ノズルは、複数の基板が配列される基板配列領域に対応するように、複数の第1ガス供給孔を上部から下部にわたり備え、第2ノズルは、複数の基板のうち上部及び下部に配列される基板にのみ対応するように、それぞれ1つ以上の第2ガス供給孔を上部及び下部にのみ備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

間隔を空けて配列された複数の基板を収容して処理する処理室と、 前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、前記処理室内へ水素含有ガスを供給する第1ノズルと、 前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、前記処理室内へ酸素含有ガスを供給する第2ノズルと、を備え、 前記第1ノズルは、前記複数の基板が配列される基板配列領域に対応するように、複数の第1ガス供給孔を上部から下部にわたり備え、 前記第2ノズルは、前記複数の基板のうち上部及び下部に配列される基板にのみ対応するように、それぞれ1つ以上の第2ガス供給孔を上部及び下部にのみ備える基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/455

FI (5件)：

H01L21/31 B ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 B ,  H01L21/318 C ,  C23C16/455

Fターム (68件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EC02 ,  5F045EE13 ,  5F045EE18 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF07 ,  5F045EF08 ,  5F045EF09 ,  5F045EG02 ,  5F045EK06 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30