特許

J-GLOBAL ID：201403088250093209

半導体装置

発明者： 麦生田 沙知子 ,  小西 保司 ,  砂田 卓也 ,  分木 優 ,  浅井 保至
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (4件)： 西川 惠清 ,  坂口 武 ,  北出 英敏 ,  仲石 晴樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-014307
公開番号（公開出願番号）：特開2014-146688
出願日： 2013年01月29日
公開日（公表日）： 2014年08月14日
要約：

【課題】より高出力化が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置10は、一表面2aa側に複数個の電子部品1を実装した回路基板2と、電子部品1の駆動時における発熱量よりも駆動時の発熱量が大きい半導体素子3を実装した実装基体4と、回路基板2の他表面2ab側に対向して配置された実装基体4上の半導体素子3の少なくとも一部を覆う被覆樹脂部5とを備える。回路基板2は、電子部品1の一部を実装する第1の温度領域2aと、第1の温度領域2aに実装された電子部品1よりも耐熱温度が低い電子部品1を実装する第2の温度領域2bとに分けており、第1の温度領域2aの他表面2ab側に樹脂被膜6を有し、第2の温度領域2bにおける他表面2ab側にあって被覆樹脂部5との間の空隙10aに露出する金属膜7を有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一表面側に複数個の電子部品を実装した回路基板と、前記回路基板の前記電子部品により駆動が制御され前記電子部品の駆動時における発熱量よりも駆動時の発熱量が大きい半導体素子を実装した実装基体と、前記回路基板の他表面側に対向して配置された前記実装基体上の前記半導体素子の少なくとも一部を覆う被覆樹脂部とを備えた半導体装置であって、 前記回路基板は、前記電子部品を実装する領域を、複数個の前記電子部品のうち、前記電子部品の一部を実装する第1の温度領域と、該第1の温度領域に実装された前記電子部品よりも耐熱温度が低い前記電子部品を実装する第2の温度領域とに分けて備えており、 前記第1の温度領域の前記他表面側に樹脂被膜を有し、 前記第2の温度領域における前記他表面側にあって前記被覆樹脂部との間の空隙に露出する金属膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/04

FI (2件)：

H01L25/04 C ,  H01L25/04 Z