特許

J-GLOBAL ID：201403088624138430

下層からのコーティングの選択的および/または高速化除去ならびにその太陽電池への適用

発明者： チン ユエン オン ,  エイドリアン ブルース ターナー
出願人/特許権者： テトラサン インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-122020
公開番号（公開出願番号）：特開2013-258405
出願日： 2013年06月10日
公開日（公表日）： 2013年12月26日
要約：

【課題】フィルムパターンを基板上にパターン形成する方法を提供する。【解決手段】基板表面上にフィルムパターンを形成するステップと、前記基板および該フィルムパターンを覆うコーティングを形成するステップと、前記コーティング中に孔または開口部を誘導するステップとを含む方法であって、フィルムパターンの上に重なるコーティングの少なくとも一部は除去され、それには前記コーティングの少なくとも一部を除去する前に前記コーティングの下に重なる少なくとも1つの層をエッチングするステップが含まれる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板上にフィルムパターンをパターン形成する方法であって、 基板表面上にフィルムパターンを形成するステップと、 前記基板および前記フィルムパターンを覆うコーティングを形成するステップと、 前記コーティング中に孔または開口部を誘導するステップと、 前記フィルムパターンの上に重なる前記コーティングの少なくとも一部を除去するステップであって、前記コーティングの少なくとも一部を除去する前に前記コーティングの下に重なる少なくとも1つの層をエッチングするステップを含むステップと、 を含むことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L31/04 H ,  H01L31/04 F ,  H01L21/306 N

Fターム (23件)：

5F043AA22 ,  5F043AA29 ,  5F043AA40 ,  5F043BB15 ,  5F043BB21 ,  5F043BB30 ,  5F043DD18 ,  5F043FF07 ,  5F043FF10 ,  5F043GG02 ,  5F043GG05 ,  5F043GG10 ,  5F151CB20 ,  5F151CB21 ,  5F151CB27 ,  5F151CB30 ,  5F151DA03 ,  5F151FA06 ,  5F151FA14 ,  5F151FA15 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03