特許

J-GLOBAL ID：201403088884324769

半導体モジュールの製造方法、半導体モジュール

発明者： 板橋 竜也
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (2件)： 堀 城之 ,  前島 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-205792
公開番号（公開出願番号）：特開2014-060344
出願日： 2012年09月19日
公開日（公表日）： 2014年04月03日
要約：

【課題】裏面に露出した放熱板による高い放熱性と、高い信頼性とを兼ね備える半導体モジュールを得る。【解決手段】この半導体モジュール10においては、半導体チップ11、12がはんだ層13を介してそれぞれダイパッド(金属板)14、15の表面に搭載されている。このダイパッド14、15の裏面は、接着樹脂層16と絶縁樹脂層17を介して放熱板18に接合されている。これらの構造はモールド樹脂層20の中に封止され、放熱板18の下面がモールド樹脂層20から露出する形態とされる。この放熱板18においては、その主体である銅板(金属板)181の裏面(下面)においてのみシリケート層182が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体チップがモールド樹脂層中に封止され、前記モールド樹脂層の下面において放熱板の下面を露出させた構成を具備する半導体モジュールの製造方法であって、 前記放熱板の主体となる金属板の下面においてシリケート化合物を含むシリケート層を形成し、かつ前記金属板の側面には前記シリケート層を形成しないように前記放熱板を製造する放熱板製造工程と、 前記シリケート層が形成された前記放熱板の下面が露出するように、前記放熱板の上面側において前記半導体チップを封止するように前記モールド樹脂層を形成するモールド工程と、 を具備することを特徴とする半導体モジュールの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 25/18 ,  H01L 25/07 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/36

FI (3件)：

H01L25/04 C ,  H01L21/56 T ,  H01L23/36 C

Fターム (20件)：

5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061CB03 ,  5F061CB04 ,  5F061EA13 ,  5F061FA02 ,  5F061FA05 ,  5F136BB05 ,  5F136BC05 ,  5F136BC07 ,  5F136DA08 ,  5F136DA27 ,  5F136EA13 ,  5F136EA23 ,  5F136FA03 ,  5F136FA52 ,  5F136GA02 ,  5F136GA17 ,  5F136GA40