LED搭載用基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-072447
公開番号（公開出願番号）：特開2014-197605
出願日： 2013年03月29日
公開日（公表日）： 2014年10月16日
要約：

【課題】リードエッチングためのエッチングレジストを剥離した後も、電解Ni/Agめっき表面の反射率の低下を抑制可能で、高輝度を達成可能なLED基板の製造方法を提供する。【解決手段】めっきリードを有する導体回路上の前記めっきリードを含む所定領域にめっきレジストを形成する工程(A)と、前記めっきレジストを形成した領域以外の導体回路上に電解Ni/Agめっきを形成する工程(B)と、前記めっきレジストを剥離する工程(C)と、前記電解Ni/Agめっき表面を覆い、前記めっきリードが露出するように、UV硬化型のエッチングレジストを形成する工程(D)と、前記エッチングレジストから露出しためっきリードをエッチングにより除去する工程(E)と、前記エッチングレジストを剥離する工程(F)と、を有するLED搭載用基板の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

めっきリードを有する導体回路上の前記めっきリードを含む所定領域にめっきレジストを形成する工程(A)と、前記めっきレジストを形成した領域以外の導体回路上に電解Ni/Agめっきを形成する工程(B)と、前記めっきレジストを剥離する工程(C)と、前記電解Ni/Agめっき表面を覆い、前記めっきリードが露出するように、UV硬化型のエッチングレジストを形成する工程(D)と、前記エッチングレジストから露出しためっきリードをエッチングにより除去する工程(E)と、前記エッチングレジストを剥離する工程(F)と、を有するLED搭載用基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/60 , H01L 33/62 , H01L 23/12 , H05K 3/06

FI (5件)：

H01L33/00 432 , H01L33/00 440 , H01L23/12 F , H05K3/06 H , H05K3/06 C

Fターム (22件)：

5E339AD01 , 5E339BC01 , 5E339BC02 , 5E339BD08 , 5E339BE13 , 5E339CC02 , 5E339CD01 , 5E339CE19 , 5E339CF16 , 5E339CF18 , 5E339CG04 , 5E339GG10 , 5F142AA64 , 5F142BA32 , 5F142CA02 , 5F142CD02 , 5F142CD13 , 5F142CD49 , 5F142CE04 , 5F142CE06 , 5F142CE13 , 5F142FA03

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