特許
J-GLOBAL ID：201403089515700613

スパッタリングターゲット、およびスパッタリングターゲットの使用方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-160888
公開番号（公開出願番号）：特開2014-055349
出願日： 2013年08月02日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
要約：
【課題】結晶性を有する金属酸化物膜を形成できるスパッタリングターゲットを提供すること。【解決手段】スパッタリングターゲットが有する金属酸化物の結晶粒または結晶領域の大きさを均一にする。また、結晶粒または結晶領域を、より小さくする。より具体的には、結晶粒径の平均が0.1μm以上3μm以下で、標準偏差が結晶粒径の平均の1/2以下の多結晶金属酸化物を有するスパッタリングターゲットとする。または、表面に垂直な方向から見てc軸配向した複数の結晶領域を含む金属酸化物を有するスパッタリングターゲットとする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
結晶粒径の平均が0.1μm以上3μm以下で、 前記結晶粒径の標準偏差が、前記結晶粒径の平均の1/2以下の多結晶金属酸化物を有するスパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
C23C 14/34 ,  C04B 35/00
FI (2件)：
C23C14/34 A ,  C04B35/00 J
Fターム (14件)：
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030BA02 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04 ,  4G030GA27 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC07 ,  4K029DC09 ,  4K029GA01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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