特許
J-GLOBAL ID:201403089619264840
有機EL素子及びそれを用いた画像表示装置並びに有機EL素子の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-212287
公開番号(公開出願番号):特開2014-067596
出願日: 2012年09月26日
公開日(公表日): 2014年04月17日
要約:
【課題】述のような問題を解決するためになされたものであり、その目的は全面一括塗工を用いて、ムラなくすぐれた特性の有機EL素子、及び有機EL画像表示装置の製造方法を提供すること。【解決手段】基板と、前記基板上に形成された第一電極と、前記第一電極を画素領域として画定する隔壁と、前記画素領域に形成された有機EL材料を含む一層あるいは複数層の有機EL層と、を有する有機EL素子であって、前記隔壁は、画素領域を画定する第一隔壁と、前記第一隔壁に隣接し、画素を囲って形成される第二隔壁と、により構成され、前記第二隔壁の膜厚は前記基板内における全画素内において複数水準存在しており、前記有機EL層が前記第一電極に向かって窪んだ凹型メニスカス形状であることを特徴とする有機EL素子としたもの。【選択図】図5
請求項(抜粋):
基板と、前記基板上に形成された第一電極と、前記第一電極を画素領域として画定する隔壁と、前記画素領域に形成された有機EL材料を含む一層あるいは複数層の有機EL層と、を有する有機EL素子であって、
前記隔壁は、画素領域を画定する第一隔壁と、前記第一隔壁に隣接し、画素を囲って形成される第二隔壁と、により構成され、
前記第二隔壁の膜厚は前記基板内における全画素内において複数水準存在しており、
前記有機EL層が前記第一電極に向かって窪んだ凹型メニスカス形状であることを特徴とする有機EL素子。
IPC (6件):
H05B 33/22
, H01L 51/50
, H05B 33/12
, H05B 33/10
, G09F 9/30
, H01L 27/32
FI (5件):
H05B33/22 Z
, H05B33/14 A
, H05B33/12 B
, H05B33/10
, G09F9/30 365Z
Fターム (21件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC33
, 3K107CC45
, 3K107DD89
, 3K107EE06
, 3K107FF15
, 3K107GG06
, 5C094AA21
, 5C094AA55
, 5C094BA27
, 5C094CA19
, 5C094DA13
, 5C094EA04
, 5C094FA01
, 5C094FA02
, 5C094FB01
, 5C094FB12
, 5C094FB15
, 5C094GB10
, 5C094JA08
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