特許
J-GLOBAL ID：201403091343048549
フォトリソグラフィーを利用した立体パターン構造を持つアルミニウム集電体の表面コーティング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 朔生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-155715
公開番号（公開出願番号）：特開2014-229890
出願日： 2013年07月26日
公開日（公表日）： 2014年12月08日
要約：
【課題】フォトリソグラフィー(Photolithography)を利用した立体パターン(Pattern)構造を持つアルミニウム集電体(Current Collector)の製造方法及びこれを含む超高容量キャパシター【解決手段】フォトリソグラフィー(Photolithography)を利用してアルミニウム集電体の表面に一定したパターンを立体設計した後、これを選択的にエッチング(Etching)してアルミニウム集電体表面に立体パターン構造を形成して表面積を広げる方法及びフォトリソグラフィー(Photolithography)を利用した立体パターン(Pattern)構造を持つ アルミニウム集電体を適用して作る超高容量キャパシター【選択図】図1
請求項（抜粋）：
アルミニウム箔集電体を洗浄した後、窒素で乾燥するステップ(S1);
上記乾燥されたアルミニウム箔集電体の表面の上に感光液を塗布した後、乾燥して感光液が露光されるようにして硬化させるステップ(S2);
上記のステップ(S2)の後、現像液を露光させたアルミニウム集電体にふりかけて、露光されていない感光液だけを選択的に除去して、残っている感光液を100°Cの温度で15分間、完全に硬化させてアルミニウム集電体の上にパターン形成を完了させるステップ(S3);
ふたつの炭素板をそれぞれの対極にして、パターンが形成されたアルミニウム箔集電体を二つの炭素板の間に位置させて、交流電源を印加し、電解液でアルミニウム集電体を1次エッチングするステップ(S4);
エッチングされたアルミニウム集電体を乾燥させるステップ(S5);
上記ステップ(S5)の後、ふたつの炭素板を対極にして1次エッチング後、乾燥したアルミニウム集電体を両対極の間に位置させて2次エッチングするステップ(S6);
2次エッチングされたアルミニウム箔を洗浄してから乾燥させるステップ(S7);
そして集電体表面に電導性物質をコーティングするステップ(S8)、を含む立体パターン構造を持つアルミニウム集電体の製造方法として、上記ステップ(S1)でのアルミニウム集電体は純度が99.00〜99.99%であり、厚さが10〜100μmであることを特徴にした立体パターン構造を持つアルミニウム集電体製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01G9/00 301F
, C25F3/04 D
5E078AA08
, 5E078FA05
, 5E078FA06
, 5E078FA13
, 5E078FA24
, 5E078FA25
, 5H017BB08
, 5H017BB14
, 5H017BB16
, 5H017BB17
, 5H017CC01
, 5H017DD01
, 5H017DD05
, 5H017EE05
, 5H017HH01
, 5H017HH03
