円筒型スパッタリングターゲットおよびその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-261566
公開番号（公開出願番号）：特開2014-105383
出願日： 2012年11月29日
公開日（公表日）： 2014年06月09日
要約：

【課題】本発明の目的は、円筒型スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット材に残留した応力歪みがなく、高出力で使用しても割れが発生せず、安定して使用できるIGZO円筒型スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することである。【解決手段】研削加工前の焼結後のターゲット材をアニール加熱することにより、ターゲット材内部に残留した応力歪みがないIGZO円筒型スパッタリングターゲットを製造することが可能となり、高出力で使用しても割れが発生しないIGZO円筒型スパッタリングターゲットが得られる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)、及び亜鉛元素(Zn)を含む酸化物結晶相を含むIGZO円筒型スパッタリングターゲットにおいて、当該ターゲットの内部応力歪みが50μm/m以下であり、かつ抗折強度が100MPa以上であることを特徴とするIGZO円筒型スパッタリングターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , C04B 35/00 , C04B 35/453

FI (3件)：

C23C14/34 B , C04B35/00 J , C04B35/00 P

Fターム (21件)：

4G030AA32 , 4G030AA34 , 4G030BA02 , 4G030BA15 , 4G030BA20 , 4G030CA04 , 4G030CA08 , 4G030GA03 , 4G030GA04 , 4G030GA08 , 4G030GA09 , 4G030GA19 , 4G030GA22 , 4G030GA25 , 4G030GA27 , 4G030GA29 , 4G030GA32 , 4G030GA33 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC13

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