配線基板およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人コスモス特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-063879
公開番号（公開出願番号）：特開2014-192205
出願日： 2013年03月26日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
要約：

【課題】表面処理の対象箇所にNSMDパッドを含む場合でも,積層配線板を痛めることなく2種類以上の表面処理を施した配線基板およびその製造方法を提供すること。【解決手段】配線基板1の製造方法は,外層パターン4(配線パターン)が形成された積層配線板2を準備する工程と,積層配線板に保護絶縁層5を形成する工程と,保護絶縁層の一部を除去することによりSMDパッド6(第1パッド)を形成する工程と,SMDパッドにニッケル金めっき(第1の表面処理)を施す工程と,保護絶縁層における第1パッドの箇所以外の一部を除去することによりNSMDパッド8(第2パッド)を形成する工程と,NSMDパッドにOSP(第2の表面処理)を施す工程とを,この順に含んでいる。NSMDパッド8の形成は,UVレーザー又はYAGレーザーを照射することで保護絶縁層の一部を除去することにより行う。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

表裏の表面の少なくとも一方に配線パターンが形成された積層配線板を準備する工程と, 前記積層配線板における前記配線パターンが形成されている面を覆う保護絶縁層を形成する工程と, 前記保護絶縁層の一部を除去することにより,前記保護絶縁層の開口内で前記配線パターンが露出する第1パッドを形成する第1パッド形成工程と, 前記第1パッドに第1の表面処理を施す工程と, 前記保護絶縁層における前記第1パッドの箇所以外の一部を除去することにより,前記保護絶縁層の開口内で前記配線パターンが露出する第2パッドを形成する第2パッド形成工程と, 前記第2パッドに前記第1の表面処理とは異なる種類の第2の表面処理を施す工程とを,この順に含む配線基板の製造方法であって, 前記第1パッド形成工程と前記第2パッド形成工程との少なくとも一方にて形成するパッドを,前記保護絶縁層の開口の縁辺と開口内の前記配線パターンとの間に隙間があるNSMD(Non Solder Mask Defined)パッドとし, 前記第1パッド形成工程でNSMDパッドを形成する場合に,そのNSMDパッドの形成は,フォトリソグラフィによる第1の方法,UVレーザーの照射による第2の方法,及び,YAGレーザーの照射による第3の方法からなる群のいずれか一つにより前記保護絶縁層の一部を除去することで行い, 前記第2パッド形成工程でNSMDパッドを形成する場合に,そのNSMDパッドの形成は,前記第2の方法,又は,前記第3の方法により前記保護絶縁層における前記第1パッドの箇所以外の一部を除去することで行うことを特徴とする配線基板の製造方法。

IPC (2件)：

H05K 3/34 , H05K 3/28

FI (3件)：

H05K3/34 , H05K3/28 B , H05K3/28 D

Fターム (17件)：

5E314AA27 , 5E314BB02 , 5E314BB11 , 5E314BB12 , 5E314CC01 , 5E314DD05 , 5E314EE01 , 5E314FF01 , 5E314GG26 , 5E319AA03 , 5E319AA07 , 5E319AA08 , 5E319AB05 , 5E319AC01 , 5E319AC11 , 5E319CC22 , 5E319GG20

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