特許
J-GLOBAL ID：201403092645550002
単結晶基板の製造方法および内部改質層形成単結晶部材の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
三好 秀和
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2011052949
公開番号（公開出願番号）：WO2012-108054
出願日： 2011年02月10日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：
比較的大きくて薄い単結晶基板を容易に製造することができる単結晶基板製造方法および内部改質層形成単結晶部材を提供することを課題とする。レーザ光(B)を出射するとともに単結晶部材(10)の屈折率に起因する収差を補正する集光レンズ(15)を、単結晶部材(10)上に非接触に配置する工程と、単結晶部材(10)の表面(10t)にレーザ光を照射して単結晶部材内部にレーザ光を集光する工程と、集光レンズ(15)と単結晶部材(10)とを相対的に移動させて、単結晶部材(10)の内部に、2次元状の改質層(12)を形成する工程と、改質層(12)により分断されてなる単結晶層を改質層(12)から剥離することで単結晶基板を形成する工程と、を有する。
請求項（抜粋）：
レーザ光を出射するとともに単結晶部材の屈折率に起因する収差を補正するレーザ集光手段を、前記単結晶部材上に非接触に配置する工程と、
前記レーザ集光手段により、前記単結晶部材表面にレーザ光を照射して前記単結晶部材内部に前記レーザ光を集光する工程と、
前記レーザ集光手段と前記単結晶部材とを相対的に移動させて、前記単結晶部材内部に、2次元状の改質層を形成する工程と、
前記改質層により分断されてなる単結晶層を前記改質層から剥離することで単結晶基板を形成する工程と
を有することを特徴とする単結晶基板の製造方法。
IPC (5件)：
B23K 26/40
, H01L 21/304
, B23K 26/38
, B23K 26/064
, B28D 5/00
B23K26/40
, H01L21/304 611Z
, B23K26/38 320
, B23K26/06 A
, B28D5/00 Z
3C069AA01
, 3C069BA08
, 3C069CA04
, 3C069EA04
, 4E068AA02
, 4E068AE01
, 4E068CA12
, 4E068CA17
, 4E068CB08
, 4E068CD01
, 4E068CD13
, 4E068CE03
, 4E068CE04
, 4E068DB11
, 5F057AA42
, 5F057BA01
, 5F057BB03
, 5F057CA02
, 5F057DA20
, 5F057DA22
