特許

J-GLOBAL ID：201403092700182875

磁気記憶素子、磁気記憶装置、磁気メモリ、および駆動方法

発明者： 森 瀬 博 史 ,  福 住 嘉 晃 ,  近 藤 剛 ,  中 村 志 保 ,  青 地 英 明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  赤岡 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-254414
公開番号（公開出願番号）：特開2014-103260
出願日： 2012年11月20日
公開日（公表日）： 2014年06月05日
要約：

【課題】磁性体中の磁壁を安定して移動させることのできる磁気記憶素子の提供。【解決手段】磁区を有する磁性細線と、磁性細線に接続され電流を流す一対の電極と、磁区の磁化情報の書き込む部と、磁区の磁化情報の読み出し部と、を備え、磁性細線は磁性細線が延在する第1方向に直交する方向に磁化方向を有し、第1方向と直交する第2方向と第1方向とによって決定される平面で切断した磁性細線の断面が第1および第2外形線を有し、第1外形線は、磁性細線内の第1方向に平行な仮想直線からの距離が極小となる第1極小点と、第1極小点と異なる、仮想直線からの距離が極小となる第2極小点と、第1極小点と第2極小点との間で仮想直線からの距離が最大となる第1極大点とを有し、第1極小点と第2極小点とを結ぶ第1直線と、第1極小点と第1極大点とを結ぶ第2直線または第2極小点と第1極大点とを結ぶ第3直線との成す角度が4度以上30度以下である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

磁区を有する磁性細線と、 前記磁性細線に接続され前記磁性細線に電流を流す一対の電極と、 前記磁性細線に接続され前記磁区に磁化情報を書き込む書き込み部と、 前記磁性細線に接続され前記磁区の磁化情報を読み出す読み出し部と、 を備え、 前記磁性細線は前記磁性細線が延在する第1方向に直交する方向に磁化方向を有し、 前記第1方向と直交する第2方向と前記第1方向とによって決定される平面で切断した前記磁性細線の断面が第1および第2外形線を有し、 前記第1外形線は、前記磁性細線内の前記第1方向に平行な仮想直線からの距離が極小となる第1極小点と、この第1極小点と異なる、前記仮想直線からの距離が極小となる第2極小点と、前記第1極小点と前記第2極小点との間で前記仮想直線からの距離が最大となる第1極大点とを有し、 前記第1極小点と前記第2極小点とを結ぶ第1直線と、前記第1極小点と前記第1極大点とを結ぶ第2直線または前記第2極小点と前記第1極大点とを結ぶ第3直線との成す角度が4度以上30度以下であることを特徴とする磁気記憶素子。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/08 P

Fターム (32件)：

4M119AA05 ,  4M119AA11 ,  4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119BB20 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD22 ,  4M119DD26 ,  4M119DD52 ,  4M119FF05 ,  4M119FF13 ,  4M119JJ15 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26 ,  5F092BB24 ,  5F092BB31 ,  5F092BB32 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB38 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC42 ,  5F092BC43 ,  5F092BE06 ,  5F092BE14 ,  5F092GA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気レーストラック・メモリ・デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-523357   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 磁気記憶素子、磁気記憶装置、磁壁移動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-076416   出願人：株式会社東芝
• 磁区壁移動を利用した情報保存装置及びその動作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-155858   出願人：三星電子株式会社