補償シリコンサンプルのドーパント含有量の特定

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：勝沼宏仁 , 前川英明 , 小島一真
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-522127
公開番号（公開出願番号）：特表2014-529181
出願日： 2012年07月20日
公開日（公表日）： 2014年10月30日
要約：

シリコンサンプル中のドーパント不純物の濃度を特定する方法は、ドナー型ドーパント不純物およびアクセプタ型ドーパント不純物を含んでなるシリコンインゴットの提供する工程と、第一の導電型と第二の逆の導電型との間の遷移が発生するインゴットの第一の領域の位置を特定する工程(F1)と、第一の領域とは異なるインゴットの第二の領域中の遊離電荷キャリアの濃度を、ホール効果、フーリエ変換赤外線分光、または電荷キャリアの寿命時間を用いる方法によって測定する工程(F2)と、第一の領域の位置およびインゴットの第二の領域中の遊離電荷キャリアの濃度から、サンプル中のドーパント不純物の濃度を特定する工程(F3)と、を含んでなる。

請求項（抜粋）：

シリコンサンプル中のドーパント不純物の濃度(NA、ND)を特定する方法であって、以下の工程: - ドナー型ドーパント不純物、ホウ素原子、および酸素原子を含んでなるシリコンインゴットを提供する工程と、 - 第一の導電型と逆の第二の導電型との間の遷移が発生する前記インゴットの第一の領域の位置(heq)を特定する工程(F1)と、 - p-型であり前記第一の領域とは異なる前記インゴットの第二の領域中の遊離電荷キャリア濃度(q)を、照射下での前記電荷キャリアの寿命時間(τ)の変動をモニタリングすることによって測定する工程(F2)と、 - 前記第一の領域の前記位置(heq)および前記インゴットの前記第二の領域中の前記遊離電荷キャリア濃度(q)から、前記サンプル中の前記ドーパント不純物の濃度を特定する工程(F3)と、を含んでなる方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , C30B 29/06 , C30B 33/00

FI (3件)：

H01L21/66 L , C30B29/06 A , C30B33/00

Fターム (12件)：

4G077AA02 , 4G077CF10 , 4G077GA01 , 4G077GA05 , 4G077HA12 , 4M106AA01 , 4M106BA08 , 4M106BA14 , 4M106CA12 , 4M106CA28 , 4M106CB01 , 4M106CB11

引用特許：

出願人引用 (6件)

UMG-SI材料精製のためのプロセス管理
公報種別：公表公報出願番号：特願2012-508494 出願人：シリコーマテリアルズインコーポレイテッド
半導体の少数キャリアの再結合ライフタイム測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-364138 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
p型酸化亜鉛薄膜及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-176736 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

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