特許
J-GLOBAL ID：201403092931107388
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-030109
公開番号（公開出願番号）：特開2014-160720
出願日： 2013年02月19日
公開日（公表日）： 2014年09月04日
要約：
【課題】負荷短絡耐量はオン電圧とトレードオフの関係を解消することによってオン抵抗を低減できる半導体装置及び半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基体1を有し、半導体基体1には、第1導電型の第1半導体領域20と、第1半導体領域20上に配置された第1導電型とは反対の導電型の第2半導体領域30と、第2半導体領域30上に配置された第1導電型の第3半導体領域40と、第1半導体領域20と前記第3半導体領域40との間に第1導電型の不純物濃度が第1半導体領域よりも高い第4半導体領域25と、第3半導体領域40の上面から第2半導体領域30及び第4半導体領域25を貫通し、第4半導体領域25の幅が上面よりも下面で広くなるように、深さ方向に傾斜する溝と、溝の底部及び側面に配置された絶縁膜50と、絶縁膜50の内側に配置された制御電極60と、を含む半導体装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基体を有し、前記半導体基体には、第1導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域上に配置された、前記第1導電型とは反対の導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域上に配置された、第1導電型の第3半導体領域と、前記第1半導体領域と前記第3半導体領域との間に第1導電型の不純物濃度が前記第1半導体領域よりも高い第4半導体領域と、前記第3半導体領域の上面から前記第2半導体領域及び前記第4半導体領域を貫通し、前記第4半導体領域の幅が上面よりも下面で広くなるように、深さ方向に傾斜する溝と、前記溝の底部及び側面に配置された絶縁膜と、前記絶縁膜の内側に配置された制御電極と、を含む半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L29/78 655A
, H01L29/78 653C
, H01L29/78 652J
, H01L29/78 652K
