特許

J-GLOBAL ID：201403093149110724

ダミーゲートを形成する方法

発明者： 野呂 基貴 ,  林 泰全 ,  河田 進二
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  柏岡 潤二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-275741
公開番号（公開出願番号）：特開2014-120661
出願日： 2012年12月18日
公開日（公表日）： 2014年06月30日
要約：

【課題】電界効果トランジスタの製造においてダミーゲートを形成する方法を提供する。【解決手段】(a)多結晶シリコン層を有する被処理体をHBrガスのプラズマに曝す第1工程(S1)であって、前記多結晶シリコン層をエッチングして当該多結晶シリコン層から一対の側面を有するダミー半導体部を形成し、且つ、当該ダミー半導体部の下端に近づくにつれて膜厚が小さくなるように、前記一対の側面にエッチング副生成物に基づく保護膜を形成すると、(b)第1工程の後に、HBrガスのプラズマに被処理体を更に曝す第2工程(S2)と、を含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタの製造においてダミーゲートを形成する方法であって、 多結晶シリコン層を有する被処理体をHBrガスのプラズマに曝す第1工程であって、前記多結晶シリコン層をエッチングして該多結晶シリコン層から一対の側面を有するダミー半導体部を形成し、且つ、該ダミー半導体部の下端に近づくにつれて膜厚が小さくなるように、前記一対の側面にエッチング副生成物に基づく保護膜を形成する、該第1工程と、 前記第1工程の後に、HBrガスのプラズマに前記被処理体を更に曝す第2工程と、 を含む方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/423

FI (5件)：

H01L21/302 105A ,  H01L21/302 101D ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301Y ,  H01L29/58 G

Fターム (33件)：

4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD65 ,  4M104GG09 ,  5F004AA01 ,  5F004AA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EA37 ,  5F004EB02 ,  5F140AA00 ,  5F140BB05 ,  5F140BB06 ,  5F140BC15 ,  5F140BG04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14