特許

J-GLOBAL ID：201403093194360057

光電気集積パッケージモジュール

発明者： 上村 浩 ,  古山 英人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (16件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  中村 誠 ,  野河 信久 ,  白根 俊郎 ,  峰 隆司 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  赤穂 隆雄 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-179447
公開番号（公開出願番号）：特開2014-038155
出願日： 2012年08月13日
公開日（公表日）： 2014年02月27日
要約：

【課題】 実装を容易にすると共に信号品質の低下を防止することが可能な光電気集積パッケージモジュールを提供する。【解決手段】 光電気集積パッケージモジュールであって、シリコン基板43上に電気配線41及び光導波路42が形成されたシリコンインターポーザ60と、インターポーザ60内に形成され、電気配線41に電気接続されると共に光導波路42に光結合された光半導体素子50と、インターポーザ60内に形成され、光半導体素子50に電気接続された電気回路素子20と、インターポーザ60上に搭載され、電気回路素子20と電気接続された半導体集積回路チップ10と、を具備している。そして、半導体集積回路チップ10は、電気回路素子20を介して光半導体素子50に電気信号を送信するか、又は電気回路素子20を介して光半導体素子50から電気信号を受信する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に電気配線及び光導波路が形成されたシリコンインターポーザと、 前記シリコンインターポーザ内に形成され、前記電気配線に電気接続されると共に前記光導波路に光結合された光半導体素子と、 前記シリコンインターポーザ内に形成され、前記光半導体素子に電気接続された電気回路素子と、 前記シリコンインターポーザ上に搭載され、前記電気回路素子と電気接続された半導体集積回路チップと、 を具備し、 前記半導体集積回路チップは、前記電気回路素子を介して前記光半導体素子に電気信号を送信するか、又は前記電気回路素子を介して前記光半導体素子から電気信号を受信することを特徴とする、光電気集積パッケージモジュール。

IPC (5件)：

G02B 6/122 ,  H01L 23/32 ,  H01L 31/02 ,  G02B 6/42 ,  H01S 5/026

FI (5件)：

G02B6/12 B ,  H01L23/32 D ,  H01L31/02 B ,  G02B6/42 ,  H01S5/026

Fターム (39件)：

2H137AB12 ,  2H137AC01 ,  2H137BA31 ,  2H137BB02 ,  2H137BB12 ,  2H137CC05 ,  2H137DA39 ,  2H137EA11 ,  2H147AB04 ,  2H147AB05 ,  2H147CB04 ,  2H147CC14 ,  2H147DA08 ,  2H147DA09 ,  2H147DA10 ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147FA03 ,  2H147FA04 ,  5F088AA01 ,  5F088BA02 ,  5F088BA03 ,  5F088BB01 ,  5F088EA08 ,  5F088EA09 ,  5F088JA03 ,  5F088JA09 ,  5F088JA13 ,  5F173MA01 ,  5F173MC01 ,  5F173MC18 ,  5F173MC20 ,  5F173MD34 ,  5F173MD37 ,  5F173MD44 ,  5F173MD64 ,  5F173ME47 ,  5F173MF25