特許
J-GLOBAL ID：201403093199617889

TSV構造を有する集積回路素子及びその製造方法

発明者：
李 道 仙

李 道 仙 について

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朴 建 相

朴 建 相 について

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朴 炳 律

朴 炳 律 について

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孫 成 旻

孫 成 旻 について

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崔 吉 鉉

崔 吉 鉉 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-148651
公開番号（公開出願番号）：特開2014-022743
出願日： 2013年07月17日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
要約：
【課題】TSV構造で局所的な突出現象を抑制することで安定した構造及び向上した信頼度を提供できる集積回路素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の集積回路素子は、半導体構造物と、半導体構造物を貫通するTSV(Through-Silicon-Via)構造と、を備え、TSV構造は、TSV構造の一端を構成して第1濃度の不純物を含む第1貫通電極部と、TSV構造の他端を構成して第1濃度より更に大きい第2濃度の不純物を含む第2貫通電極部と、を備える。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
半導体構造物と、 前記半導体構造物を貫通するTSV(Through-Silicon-Via)構造と、を備え、 前記TSV構造は、 前記TSV構造の一端を構成して第1濃度の不純物を含む第1貫通電極部と、 前記TSV構造の他端を構成して前記第1濃度より更に大きい第2濃度の不純物を含む第2貫通電極部と、を備えることを特徴とする集積回路素子。
IPC (3件)：
H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (1件)：
H01L21/88 J
Fターム (56件)：
5F033GG00 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033GG03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033LL01 ,  5F033LL03 ,  5F033LL08 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM30 ,  5F033NN03 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ53 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT07 ,  5F033WW00 ,  5F033WW08 ,  5F033WW10 ,  5F033XX19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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