半導体発光装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松浦憲三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-202498
公開番号（公開出願番号）：特開2013-021351
特許番号：特許第5444588号
出願日： 2012年09月14日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】発光層を有する半導体エピタキシャル層と、該半導体エピタキシャル層を支持し、該発光層からの光を透過する素子基板とを有する第1の発光素子と第2の発光素子と、前記第1の発光素子および前記第2の発光素子の上方に位置し発光層からの光を波長変換する蛍光体を含む透光性部材からなる波長変換層と、前記第1の発光素子および前記第2の発光素子が隣接状態で実装される基板と、を備えた半導体発光装置の製造方法であって、前記基板の上に、前記第1の発光素子および前記第2の発光素子の互いの側面が対向するように隣接して配置し、前記第1の発光素子および前記第2の発光素子の上方に予め形成した一体かつ板状の前記波長変換層を配置して、全体として平面視において4つの辺を有する矩形形状に実装する工程と、前記4つの辺のうち、少なくとも一つの辺の側面を覆うように白色樹脂を前記基板の上に塗布形成して反射部材を配置する工程と、を備え、前記反射部材を配置する工程は、前記一つの辺の側面において前記波長変換層の側面および前記素子基板の側面に設けることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/60 ( 201 0.01) , H01L 33/50 ( 201 0.01)

FI (2件)：

H01L 33/00 432 , H01L 33/00 410

引用特許：

審査官引用 (4件)

LED発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-044813 出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-017098 出願人：ローム株式会社
照明装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-210480 出願人：株式会社アキタ電子システムズ, 株式会社日立ハイテクノロジーズ

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