特許
J-GLOBAL ID：201403095434962729
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
速水 進治
, 天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-246236
公開番号（公開出願番号）：特開2014-096434
出願日： 2012年11月08日
公開日（公表日）： 2014年05月22日
要約：
【課題】コンタクトホールとゲート電極との間の距離が十分にとられた半導体装置を提供する。【解決手段】層間絶縁膜IIF上に形成されたハードマスクHMをマスクとしたエッチングにより、層間絶縁膜IIFに、ソース・ドレイン領域SDR上に位置するコンタクトホールCHを形成する。ハードマスクHMを形成する工程前に、コンタクトホールCHが形成される箇所における層間絶縁膜IIFの厚さが計測される。計測された層間絶縁膜IIFの厚さの計測値に応じて、エッチングの条件を変更することにより、ハードマスクHMに形成される開口OP2の下端の径の大きさが変更される。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記基板に形成され、かつ、平面視で前記ゲート電極の側方に形成された不純物拡散領域と、
前記ゲート電極および前記不純物拡散領域上に形成された層間絶縁膜と、
を含む半導体装置の前記層間絶縁膜上にマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜に、前記不純物拡散領域上に位置し、かつ、前記マスク膜を貫通する開口をエッチングにより形成する工程と、
平面視で前記開口内において、前記マスク膜をマスクとしたエッチングにより、前記不純物拡散領域上に位置し、かつ、前記マスク側から前記不純物拡散領域側に向かうにしたがって縮径するテーパ状の形状を有するコンタクトホールを前記層間絶縁膜に形成する工程と、
を備え、
前記マスク膜を形成する前記工程前に、前記コンタクトホールが形成される箇所における前記層間絶縁膜の厚さを計測する工程をさらに備え、
前記開口を形成する前記工程では、前記層間絶縁膜の厚さを計測する前記工程において計測された前記層間絶縁膜の厚さの計測値tmesに応じて、前記開口を形成する前記エッチングの条件を変更することにより、前記開口の下端の径の大きさが変更され、
前記コンタクトホールを形成する前記工程では、前記コンタクトホールのテーパ状の傾斜角が、前記層間絶縁膜の厚さによらず一定に形成される半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/306
H01L21/90 C
, H01L21/302 105A
5F004AA09
, 5F004CA02
, 5F004CA06
, 5F004DA01
, 5F004DB00
, 5F004EA03
, 5F004EA37
, 5F004EB01
, 5F033KK01
, 5F033KK25
, 5F033MM08
, 5F033NN32
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ37
, 5F033QQ41
, 5F033QQ48
, 5F033VV06
, 5F033XX00
