特許

J-GLOBAL ID：201403095813352946

撮像装置および撮像方法

発明者： 濱村 俊宏
出願人/特許権者： 株式会社サムスン日本研究所
代理人 (1件)： 八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-251508
公開番号（公開出願番号）：特開2014-098859
出願日： 2012年11月15日
公開日（公表日）： 2014年05月29日
要約：

【課題】ストロボ撮影において、画素出力の飽和の内容に応じて飽和の抑制程度を最適化して、高品質な撮影画像を得ることができる撮像装置を提供する。【解決手段】ストロボ光を照射する発光部を予備発光させて撮像部により被写体を撮像して得られる画像を解析して、主要被写体の輝度を目標値にする場合における画像の各領域の輝度の推定値を算出する推定部と、推定値が画素の飽和限界値を超える飽和領域について、飽和量を算出する算出部と、飽和量に対して飽和領域の属性に応じた重み付けを行い、重み付け後の飽和量を算出する補正部と、重み付け後の飽和量に基づいて、撮像条件を変更する変更部と、変更された撮像条件にしたがって、発光部を本発光させて撮像部により被写体を撮像する制御部と、発光部を本発光させて得られる画像に対して階調変換処理を施して、主要被写体の輝度を目標値に一致させる階調変換部と、を有する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

被写体に向けてストロボ光を照射する発光部と、 前記被写体を撮像する撮像部と、 前記発光部を予備発光させて前記撮像部により前記被写体を撮像して得られる画像を解析して、主要被写体の輝度を目標値にする場合における前記画像の各領域の輝度の推定値を算出する推定部と、 前記推定部により算出された推定値が画素の飽和限界値を超える飽和領域について、当該飽和領域の飽和の程度を示す値である飽和量を前記飽和領域毎に算出する算出部と、 前記算出部により算出された飽和量に対して、前記飽和領域の属性に応じた重み付けを行い、重み付け後の飽和量を算出する補正部と、 前記補正部により算出された前記重み付け後の飽和量に基づいて、前記飽和量を減らすように撮像条件を変更する変更部と、 前記変更部により変更された撮像条件にしたがって、前記発光部を本発光させて前記撮像部により前記被写体を撮像する制御部と、 前記発光部を本発光させて前記撮像部により前記被写体を撮像して得られる画像に対して階調変換処理を施して、前記主要被写体の輝度を目標値に一致させる階調変換部と、 を有することを特徴とする撮像装置。

IPC (4件)：

G03B 7/16 ,  G03B 15/05 ,  G03B 15/03 ,  H04N 5/238

FI (4件)：

G03B7/16 ,  G03B15/05 ,  G03B15/03 F ,  H04N5/238 Z

Fターム (30件)：

2H002CD13 ,  2H002DB14 ,  2H002DB27 ,  2H002DB29 ,  2H002DB30 ,  2H002DB31 ,  2H002EB09 ,  2H002JA07 ,  2H053AA01 ,  2H053AD23 ,  2H053CA41 ,  2H053DA03 ,  5C122DA04 ,  5C122EA20 ,  5C122FA12 ,  5C122FC02 ,  5C122FE02 ,  5C122FF01 ,  5C122FF05 ,  5C122FH10 ,  5C122FH11 ,  5C122FK12 ,  5C122GA01 ,  5C122GA31 ,  5C122GG16 ,  5C122GG22 ,  5C122HA82 ,  5C122HB01 ,  5C122HB06 ,  5C122HB09