特許

J-GLOBAL ID：201403096029163432

圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法

発明者： 上條 敦
出願人/特許権者： 日本電波工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-065357
公開番号（公開出願番号）：特開2014-192650
出願日： 2013年03月27日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
要約：

【課題】電極の破損等を防止して信頼性を向上でき、さらに、リッドの接合にイオンビーム活性化接合を適用した場合でも電極が不用意にエッチングされることを防止する。【解決手段】励振電極131、132が形成された圧電振動片130を含む圧電デバイス100であって、圧電振動片130は、励振電極131等を被覆するキャップ層141、142が形成され、キャップ層141等は、励振電極131等よりもスパッタ率が小さい導電性酸化物または導電性窒化物が用いられる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

電極が形成された圧電振動片を含む圧電デバイスであって、 前記圧電振動片は、前記電極を被覆するキャップ層が形成され、 前記キャップ層は、前記電極よりもスパッタ率が小さい導電性酸化物または導電性窒化物が用いられる圧電デバイス。

IPC (2件)：

H03H 9/19 ,  H03H 3/02

FI (3件)：

H03H9/19 F ,  H03H3/02 B ,  H03H3/02 C

Fターム (16件)：

5J108AA02 ,  5J108BB02 ,  5J108CC04 ,  5J108DD02 ,  5J108EE03 ,  5J108EE07 ,  5J108EE18 ,  5J108FF03 ,  5J108FF05 ,  5J108GG03 ,  5J108GG17 ,  5J108HH03 ,  5J108HH06 ,  5J108KK01 ,  5J108MM02 ,  5J108MM11