成膜方法及び成膜装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-027972
公開番号（公開出願番号）：特開2014-170764
出願日： 2013年02月15日
公開日（公表日）： 2014年09月18日
要約：

【課題】高アスペクト比の凹部の埋め込に適用でき、しかも、バリア性を兼ね備えた高分子薄膜の絶縁膜を提供することが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】真空引きされた処理容器26内で被処理体2の表面に高分子薄膜よりなる絶縁膜140を形成する成膜方法において、酸無水物よりなる第1の原料ガスとジアミンよりなる第2の原料ガスとを供給して絶縁膜140を形成する第1の工程と、第1の工程の後に第2の原料ガスの供給を停止すると共に第1の原料ガスを供給して絶縁膜140を改質することによりバリア機能を持たせる第2の工程とを有する。これにより、高アスペクト比の凹部の埋め込に適用でき、しかも、バリア性を兼ね備えた高分子薄膜の絶縁膜を形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

真空引きされた処理容器内で被処理体の表面に高分子薄膜よりなる絶縁膜を形成する成膜方法において、酸無水物よりなる第1の原料ガスとジアミンよりなる第2の原料ガスとを供給して前記絶縁膜を形成する第1の工程と、前記第1の工程の後に前記第2の原料ガスの供給を停止すると共に前記第1の原料ガスを供給して前記絶縁膜を改質することによりバリア機能を持たせる第2の工程と、を有することを特徴とする成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/312 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 23/532

FI (4件)：

H01L21/312 B , H01L21/88 J , H01L21/90 S , H01L21/90 A

Fターム (42件)：

5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033MM30 , 5F033NN05 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ00 , 5F033QQ07 , 5F033QQ47 , 5F033QQ48 , 5F033RR22 , 5F033SS01 , 5F033SS11 , 5F033TT07 , 5F033VV00 , 5F033WW03 , 5F033WW05 , 5F033XX02 , 5F033XX04 , 5F033XX28 , 5F058AA04 , 5F058AA05 , 5F058AA06 , 5F058AA10 , 5F058AC02 , 5F058AD04 , 5F058AF01 , 5F058AG10 , 5F058AH02 , 5F058AH05 , 5F058AH06 , 5F058AH07 , 5F058AH10

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-013561
特開昭61-261322
半導体製造装置およびポリイミド膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-191798 出願人：日本真空技術株式会社

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