特許

J-GLOBAL ID：201403096267603807

単結晶グラフェンの製造方法、および単結晶グラフェンを用いたタッチパネル

発明者： カリタ ゴラップ ,  種村 眞幸 ,  シャルマ スバス ,  梅野 正義
出願人/特許権者： 国立大学法人 名古屋工業大学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-016268
公開番号（公開出願番号）：特開2014-148423
出願日： 2013年01月31日
公開日（公表日）： 2014年08月21日
要約：

【課題】樟脳等の炭素源を用いたCVDにより、6角形状のグラフェンあるいは連続膜からなるグラフェンの製造方法を提供する。【解決手段】炭素源の熱分解によりグラフェンを製造する方法であって、第1の領域に炭素源である化合物を配置させ、第2の領域に基板を配置させ、前記第1の領域を加熱して前記化合物を蒸気化し、加熱した前記第2の領域に少なくともアルゴンと水素とを含むキャリアガスにより前記樟脳の蒸気を導き、当該加熱された第2の領域において、前記炭素化合物を基板上で熱分解することで、前記基板の表面上にドメイン形状のグラフェンを複数個形成する、あるいは基板面全体に連続してグラフェンを形成する、単結晶グラフェンの製造方法。 【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭素源の熱分解によりグラフェンを製造する方法であって、第1の領域に炭素源である化合物を配置させ、第2の領域に基板を配置させ、前記第1の領域を加熱して前記化合物を蒸気化し、加熱した前記第2の領域に少なくともアルゴンと水素とを含むキャリアガスにより前記樟脳を含む炭素源の蒸気を導き、当該加熱された第2の領域において、前記炭素化合物を基板上で熱分解することで、前記基板の表面上に正多角形様あるいは円形のドメイン群からなるグラフェン、あるいは基板面全体に連続してグラフェンを形成する、単結晶グラフェンの製造方法。

IPC (5件)：

C01B 31/02 ,  C30B 29/02 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/64 ,  C23C 16/26

FI (5件)：

C01B31/02 101Z ,  C30B29/02 ,  C30B25/02 Z ,  C30B29/64 ,  C23C16/26

Fターム (46件)：

4G077AA03 ,  4G077AB10 ,  4G077BA02 ,  4G077DB07 ,  4G077EA06 ,  4G077EC01 ,  4G077EC09 ,  4G077ED06 ,  4G077EG15 ,  4G077EG16 ,  4G077EG22 ,  4G077HA05 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB01 ,  4G077TC01 ,  4G077TC04 ,  4G077TE05 ,  4G077TH01 ,  4G077TH05 ,  4G077TJ01 ,  4G077TK01 ,  4G146AA01 ,  4G146AD40 ,  4G146BA11 ,  4G146BC03 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC31A ,  4G146BC31B ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146BC46 ,  4K030AA01 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BB01 ,  4K030CA02 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10