特許
J-GLOBAL ID:201403096592951242

データ記憶媒体基板用ガラス、データ記憶媒体用ガラス基板および磁気ディスク

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-161690
公開番号(公開出願番号):特開2013-254555
出願日: 2013年08月02日
公開日(公表日): 2013年12月19日
要約:
【課題】高耐熱性が得られるデータ記憶媒体基板用ガラスの提供。【解決手段】下記酸化物基準のモル百分率表示で、SiO2を60〜70%、Al2O3を2.5〜9%、MgOを2〜10%、CaOを0〜7%、SrOを0.5〜10%、BaOを0〜5%、TiO2を0〜1%、ZrO2を1〜3.7%、Li2Oを0〜2.5%、Na2Oを2〜8%、K2Oを2〜8%、La2O3を0.5〜3%含有し、Al2O3およびZrO2の含有量合計(Al2O3+ZrO2)が12%以下、Li2O、Na2OおよびK2Oの含有量合計(R2O)が12%以下、MgO、CaO、SrOおよびBaOの含有量合計が10%以上であるデータ記憶媒体基板用ガラス。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記酸化物基準のモル百分率表示で、SiO2を60〜70%、Al2O3を2.5〜9%、MgOを2〜10%、CaOを0〜7%、SrOを0.5〜10%、BaOを0〜5%、TiO2を0〜1%、ZrO2を1〜3.7%、Li2Oを0〜2.5%、Na2Oを2〜8%、K2Oを2〜8%、La2O3を0.5〜3%含有し、Al2O3およびZrO2の含有量合計(Al2O3+ZrO2)が12%以下、Li2O、Na2OおよびK2Oの含有量合計(R2O)が12%以下、MgO、CaO、SrOおよびBaOの含有量合計が10%以上であるデータ記憶媒体基板用ガラス。
IPC (2件):
G11B 5/73 ,  C03C 3/095
FI (2件):
G11B5/73 ,  C03C3/095
Fターム (71件):
4G062AA01 ,  4G062BB01 ,  4G062BB03 ,  4G062CC10 ,  4G062DA06 ,  4G062DB03 ,  4G062DC01 ,  4G062DD01 ,  4G062DE01 ,  4G062DF01 ,  4G062EA01 ,  4G062EA02 ,  4G062EA03 ,  4G062EB03 ,  4G062EC03 ,  4G062ED03 ,  4G062EE01 ,  4G062EE02 ,  4G062EE03 ,  4G062EF02 ,  4G062EF03 ,  4G062EG01 ,  4G062EG02 ,  4G062EG03 ,  4G062FA01 ,  4G062FB01 ,  4G062FB02 ,  4G062FC03 ,  4G062FD01 ,  4G062FE01 ,  4G062FF01 ,  4G062FG01 ,  4G062FH01 ,  4G062FJ01 ,  4G062FK02 ,  4G062FK03 ,  4G062FL01 ,  4G062GA01 ,  4G062GA10 ,  4G062GB01 ,  4G062GC01 ,  4G062GD01 ,  4G062GE01 ,  4G062HH01 ,  4G062HH03 ,  4G062HH05 ,  4G062HH07 ,  4G062HH09 ,  4G062HH11 ,  4G062HH13 ,  4G062HH15 ,  4G062HH17 ,  4G062HH20 ,  4G062JJ01 ,  4G062JJ03 ,  4G062JJ05 ,  4G062JJ07 ,  4G062JJ10 ,  4G062KK01 ,  4G062KK03 ,  4G062KK05 ,  4G062KK07 ,  4G062KK10 ,  4G062MM27 ,  4G062NN31 ,  4G062NN33 ,  5D006CB04 ,  5D006CB06 ,  5D006CB07 ,  5D006DA03 ,  5D006FA04
引用特許:
審査官引用 (5件)
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