特許

J-GLOBAL ID：201403097977053659

半導体装置

発明者： 生松 均
出願人/特許権者： 住友電工デバイス・イノベーション株式会社
代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-231191
公開番号（公開出願番号）：特開2014-082427
出願日： 2012年10月18日
公開日（公表日）： 2014年05月08日
要約：

【課題】Au含有層上に形成される絶縁膜の浮きや剥れを抑制すること。【解決手段】半導体層18と、前記半導体層上に形成されたNi含有金属33と、前記Ni含有金属上にめっきにより形成されたAuを含有するめっき層34と、前記めっき層と、前記Ni含有金属とが直接接する接触領域37と、前記めっき層上に形成された第1絶縁膜26と、前記第1絶縁膜に設けられ前記めっき層が露出する第1開口と、を具備し、前記めっき層の表面において前記接触領域とオーバーラップする領域のすべてが、前記第1開口の内側に位置してなる半導体装置。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体層と、 前記半導体層上に形成されたNi含有金属と、 前記Ni含有金属上にめっきにより形成されたAuを含有するめっき層と、 前記めっき層と、前記Ni含有金属とが直接接する接触領域と、 前記めっき層上に形成された第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜に設けられ前記めっき層が露出する第1開口と、 を具備し、 前記めっき層の表面において前記接触領域とオーバーラップする領域のすべてが、前記第1開口の内側に位置してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/28

FI (4件)：

H01L29/80 F ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 U ,  H01L21/28 301R

Fターム (38件)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB17 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD68 ,  4M104EE06 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104GG12 ,  4M104HH08 ,  4M104HH09 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ09 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GS09 ,  5F102GT01 ,  5F102GV03 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08