特許
J-GLOBAL ID:201403098194328880
半導体装置およびその作製方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-097276
公開番号(公開出願番号):特開2014-239213
出願日: 2014年05月09日
公開日(公表日): 2014年12月18日
要約:
【課題】微細化しても容易に作製することのできる構造を有し、微細化に伴う電気特性の低下を抑制できる半導体装置およびその作製方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体層の上面にソース電極層およびドレイン電極層が形成された構造を有し、酸化物半導体層の側面およびソース電極層の側面は同一面上にあり、当該酸化物半導体層の側面および当該ソース電極層の側面と第1の配線とはサイドコンタクトによって電気的に接続される。また、酸化物半導体層の側面およびドレイン電極層の側面は同一面上にあり、当該酸化物半導体層の側面および当該ドレイン電極層の側面と第2の配線とはサイドコンタクトによって電気的に接続される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
絶縁表面上に形成された第1の酸化物半導体層と、
前記第1の酸化物半導体層上に形成された第2の酸化物半導体層と、
前記第2の酸化物半導体層上に形成され、前記第2の酸化物半導体層の側面と同一面上にある側面を有するソース電極層およびドレイン電極層と、
前記第2の酸化物半導体層上に形成され、前記ソース電極層および前記ドレイン電極層のそれぞれと一部が接する第3の酸化物半導体層と、
前記第3の酸化物半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、
前記絶縁表面、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、および前記ゲート電極層上に形成された絶縁層と、
を有し、
前記絶縁層には、
前記第2の酸化物半導体層の一部および前記ソース電極層の一部が露出する第1の開口部と、
前記第2の酸化物半導体層の一部および前記ドレイン電極層の一部が露出する第2の開口部と、
前記ゲート電極層の一部が露出する第3の開口部と、
が形成され、
前記第1の開口部において、前記第2の酸化物半導体層および前記ソース電極層は第1の配線と電気的に接続され、
前記第2の開口部において、前記第2の酸化物半導体層および前記ドレイン電極層は第2の配線と電気的に接続され、
前記第3の開口部において、前記ゲート電極層は第3の配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 29/786
, H01L 21/28
, H01L 29/41
, H01L 21/336
FI (9件):
H01L29/78 616S
, H01L21/28 301B
, H01L21/28 301R
, H01L29/44 S
, H01L29/44 P
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 618E
, H01L29/78 619A
, H01L29/78 620
Fターム (111件):
4M104AA03
, 4M104AA09
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB13
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