特許

J-GLOBAL ID：201403098411672285

基板処理装置、処理容器および半導体装置の製造方法

発明者： 鎌倉 司 ,  ▲ひろせ▼ 義朗
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-060341
公開番号（公開出願番号）：特開2014-185363
出願日： 2013年03月22日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
要約：

【課題】 処理容器の外部に設けられた加熱部を用いて加熱した基板上に薄膜を形成する際、基板の加熱条件を安定させ、成膜処理の品質を向上させる。【解決手段】 内部で基板に対する処理が行われる処理容器と、処理容器の外部に設けられ、輻射熱を照射することで処理容器内の基板を加熱する加熱部と、処理容器内に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、を有し、処理容器の外壁の少なくとも一部には、加熱部からの輻射熱の吸収を飽和させる熱吸収層が形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

内部で基板に対する処理が行われる処理容器と、 前記処理容器の外部に設けられ、輻射熱を照射することで前記処理容器内の基板を加熱する加熱部と、 前記処理容器内に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、を有し、 前記処理容器の外壁の少なくとも一部には、前記加熱部からの輻射熱の吸収を飽和させる熱吸収層が形成されている基板処理装置。

IPC (2件)：

C23C 16/46 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C23C16/46 ,  H01L21/205

Fターム (46件)：

4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA10 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030DA06 ,  4K030EA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030KA09 ,  4K030LA15 ,  4K030LA16 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045EK06 ,  5F045EK30