特許

J-GLOBAL ID：201403098990839447

半導体素子の製造方法

発明者： 長友 靖浩
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-134504
公開番号（公開出願番号）：特開2013-258349
出願日： 2012年06月14日
公開日（公表日）： 2013年12月26日
要約：

【課題】半導体材料中に空洞を含む微細構造を埋め込む際に、不要な段差を生じにくくすることが可能となる半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】上記課題を達成するための半導体素子の製造方法であって、 半導体層の表面に第1の微細孔が配列された第1の領域を形成する工程と、 前記第1の領域に隣接する第2の領域の半導体層の表面の一部を除去する工程と、 再成長または熱処理によって前記第1の微細孔の上部を塞ぐ工程と、 を有する構成とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体層の表面に第1の微細孔が配列された第1の領域を形成する工程と、 前記第1の領域に隣接する第2の領域の半導体層の表面の一部を除去する工程と、 再成長または熱処理によって前記第1の微細孔の上部を塞ぐ工程と、 を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/20 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 ,  G02B 6/13

FI (6件)：

H01L21/20 ,  H01L33/00 170 ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 X ,  G02B6/12 M

Fターム (30件)：

2H147BF00 ,  2H147EA12A ,  2H147EA15C ,  2H147EA25B ,  2H147FA04 ,  2H147FA07 ,  2H147FC02 ,  2H147FC05 ,  2H147FE07 ,  5F004DA04 ,  5F004DB00 ,  5F004DB19 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F141AA09 ,  5F141CA21 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA66 ,  5F141CA74 ,  5F152LL05 ,  5F152LM04 ,  5F152LM05 ,  5F152LN22 ,  5F152LN36 ,  5F152MM08 ,  5F152NN13 ,  5F152NP09 ,  5F152NP24 ,  5F152NQ09