特許

J-GLOBAL ID：201403099041626366

炭化珪素半導体装置

発明者： 山田 俊介 ,  日吉 透 ,  増田 健良 ,  和田 圭司
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-232604
公開番号（公開出願番号）：特開2014-086483
出願日： 2012年10月22日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
要約：

【課題】オン電流の低下を抑制しつつ耐圧を向上可能な炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置1は、素子領域IRと、ガードリング領域5とを有している。素子領域IRには半導体素子7が設けられている。ガードリング領域5は、平面視において素子領域IRを取り囲みかつ第1導電型を有する。半導体素子7は第1導電型とは異なる第2導電型を有するドリフト領域12を含む。ガードリング領域5は、直線領域Bと直線領域Bと連接する曲率領域Aとを含む。曲率領域Aの内周部2cの曲率半径Rをドリフト領域12の厚みT1で除した値が5以上10以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子が設けられた素子領域と、平面視において前記素子領域を取り囲みかつ第1導電型を有するガードリング領域とを備え、 前記半導体素子は第1導電型とは異なる第2導電型を有するドリフト領域を含み、 前記ガードリング領域は、直線領域と前記直線領域と連接する曲率領域とを含み、 前記曲率領域の内周部の曲率半径を前記ドリフト領域の厚みで除した値が5以上10以下である、炭化珪素半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/12

FI (6件)：

H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301D ,  H01L29/06 301V