特許

J-GLOBAL ID：201403099519922110

太陽電池の製造方法

発明者： 齋藤 光央 ,  奥村 智洋 ,  宍田 佳謙
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 内藤 浩樹 ,  藤井 兼太郎 ,  寺内 伊久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-071691
公開番号（公開出願番号）：特開2014-197578
出願日： 2013年03月29日
公開日（公表日）： 2014年10月16日
要約：

【課題】低コストと高効率を両立する太陽電池の製造において、受光面電極107を形成する際に、塗布膜103bおよびSiNx膜106を除去する方法としてレーザースクライブ法を用いたが、残渣量のバラつきなどにより、接触抵抗にバラつきが生じていた。【解決手段】基材の表面に濃度の異なるドープ拡散層を形成させることで選択エミッタ層を形成し、さらに基材およびドープ拡散層表面にパシベーション膜を形成しつつ、パシベーション膜の一部を開口して電極を接触させる太陽電池の製造方法において、電極を接触させる領域の表面に形成するドープ膜と、電極を接触させる以外の領域の表面に形成するドープ膜の濃度と膜厚を変える第1の工程と、基材に熱エネルギーを加えることで基材表面にドープ拡散層を形成する第2の工程と、ドープ膜の一部を残してドープ膜を除去する第3の工程を含ませること。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基材の表面に濃度の異なるドープ拡散層を形成させることで選択エミッタ層を形成し、さらに基材およびドープ拡散層表面にパシベーション膜を形成しつつ、パシベーション膜の一部を開口して電極を接触させる太陽電池の製造方法において、 電極を接触させる領域の表面に形成するドープ膜と、電極を接触させる以外の領域の表面に形成するドープ膜の濃度と膜厚を変える第1の工程と、 基材に熱エネルギーを加えることで基材表面にドープ拡散層を形成する第2の工程と、 ドープ膜の一部を残してドープ膜を除去する第3の工程と、を含むこと、 を特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/06

FI (1件)：

H01L31/04 A

Fターム (8件)：

5F151AA01 ,  5F151BA14 ,  5F151CB20 ,  5F151FA04 ,  5F151FA10 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151GA04