研究者
J-GLOBAL ID:201501025561206927   更新日: 2020年09月18日

喜多 浩之

キタ コウジ | Kita Koji
所属機関・部署:
職名: 准教授
ホームページURL (1件): https://kaken.nii.ac.jp/d/r/00343145.ja.html
研究分野 (5件): 電気電子材料工学 ,  構造材料、機能材料 ,  金属材料物性 ,  金属材料物性 ,  無機材料、物性
研究キーワード (30件): 表面・界面物性 ,  ゲルマニウム ,  酸化ハフニウム ,  先端機能デバイス ,  分光エリプソメトリー ,  高誘電率絶縁膜 ,  シリコン ,  シリケート ,  酸化イットリウム ,  電子・電気材料 ,  二酸化ゲルマニウム ,  半導体物性 ,  酸化機構 ,  界面反応 ,  抵抗変化メモリー ,  低電圧化 ,  表面酸化 ,  セラミックス ,  同位体ガス ,  表面酸化渦程 ,  酸素欠損 ,  律速過程 ,  強磁性体 ,  垂直磁気異方性 ,  表面酸化過程 ,  結晶性 ,  絶縁膜 ,  エレクトロクロノミック ,  電流-電圧特性 ,  イオン伝導
論文 (147件):
  • Qiao Chu, Masato Noborio, Sumera Shimizu, Koji Kita. Influences of coexisting O2 in H2O-annealing ambient on thermal oxidation kinetics and MOS interface properties on 4H-SiC (1-100). Materials Science in Semiconductor Processing. 2020. 116
  • Jun Koyanagi, Mizuki Nishida, Koji Kita. Significant reduction of interface trap density of SiC PMOSFETs by post-oxidation H2O annealing processes with different oxygen partial pressures. Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59
  • Adhi Dwi Hatmanto, Koji Kita. Physical analysis of remained oxidation byproducts as the origins of lattice distortion at the surface of 4H-SiC by Fourier-transform infrared spectroscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59. SM
  • Takashi Hamaguchi, Koji Kita. Impacts of density of deposited dielectric films on temperature dependence of interface dipole layer strength in multilayered dielectric capacitors for energy harvesting. Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59
  • Munetaka Noguchi, Toshiaki Iwamatsu, Hiroyuki Amishiro, Hiroshi Watanabe, Koji Kita, Naruhisa Miura. Coulomb-limited mobility in 4H-SiC MOS inversion layer as a function of inversion-carrier average distance from MOS interface. Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59. 5
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MISC (27件):
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経歴 (1件):
  • 2010 - 現在 東京大学 大学院工学系研究科 准教授
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