研究者
J-GLOBAL ID:201501035908824990
更新日: 2024年01月17日
三島 友義
ミシマ トモヨシ | MISHIMA Tomoyoshi
所属機関・部署:
職名:
教授
その他の所属(所属・部署名・職名) (1件):
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大阪大学
大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 電子工学部門 創製エレクトロニクス材料講座
招へい教授
研究キーワード (4件):
power diodes and transistors
, 高周波デバイス
, パワーデバイス
, GaN
競争的資金等の研究課題 (3件):
- 2022 - デバイス試作によるワイドギャップ半導体評価
- 2014 - 2022 未来のあるべき社会・ライフスタイルを創造する技術イノベーション事
- 2014 - 2018 未来のあるべき社会・ライフスタイルを創造する技術イノベーション事
論文 (157件):
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Kazuhiro Mochizuki, Tomoaki Nishimura and Tomoyoshi Mishima. Estimation of electronic stopping cross sections of 4H-SiC for 2-26 MeV Al random-ion implantations. Jpn. J. Appl. Phys. 2023. 62. 098001
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Kazuhiro Mochizuki, Hiroshi Ohta and Tomoyoshi Mishima. Analysis of reported substrate-misorientation and growth-temperature dependences of alloy composition in metalorganic vapor-phase epitaxially grown c-plane InGaN. J. Crystal Growth. 2023. 614. 127213
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Kazuhiro Mochizuki and Tomoyoshi Mishima. Estimation of supersaturation at steps during chemical vapor deposition of 4H-SiC ( 000-1 ) from reported growth rate and cross-sectional profile of spiral hillock. Jpn. J. Appl. Phys. 2022. 61. 118005-1-118005-3
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Kazuhiro Mochizuki, Tomoaki Nishimura and Tomoyoshi Mishima. Re-evaluation of energy dependence of electronic stopping cross-section for Al ions into 4H-SiC (0001). Jpn. J. Appl. Phys. 2022. 61. 119002-1-119002-3
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Hiroki Imabayashi, Yuto Yasui, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima. Characterization of peripheries of n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy. Jpn. J. Appl. Phys. 2022. 62. SA1012-1-SA1012-7
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MISC (2件):
特許 (12件):
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III族窒化物半導体
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Crystal laminate, semiconductor device and method for manifactureing the same
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窒化ガリウム積層基板および半導体装置
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半導体装置およびその製造方法
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GaN layers and devices
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書籍 (5件):
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窒化ガリウム結晶成長技術
Springer 2010 ISBN:9783642048289
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超高速エレクトロニクス
コロナ社 2003 ISBN:4339018783
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自動車エレクトロニクス
山海堂 1997 ISBN:4381100786
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光・マイクロ波半導体応用技術
サイエンスフォーラム 1996
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分子線エピタキシー技術
工業調査会 1984 ISBN:4769310366
講演・口頭発表等 (5件):
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High Breakdown Voltage Vertical-Structure GaN p-n Junction Diodes
(International Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture (DEJI2MA) 2021)
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High Breakdown Voltage Vertical-Structure GaN p-n Junction Diodes (and the other 145 presentations in international conferences)
(International Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture (DEJI2MA) 2021)
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Evaluation of GaN Epitaxial Layers grown on Free-standing GaN Substrates by Fabrications of p-n Diodes
(2015 MRS Spring Meeting & Exhibit 2015)
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その他招待講演を含む国内学会講演201件
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the other 154 presentations in international conferences till 2023/12
学歴 (5件):
- 1980 - 1983 東京工業大学 理工学研究科 電子物理工学専攻
- 1980 - 1983 東京工業大学 理工学研究科 電子物理工学専攻
- 1978 - 1980 東京工業大学 理工学研究科 電子物理工学専攻
- 1978 - 1980 東京工業大学 理工学研究科 電子物理工学専攻
- 1974 - 1978 東京工業大学 工学部 電気電子工学科
学位 (1件):
経歴 (7件):
受賞 (1件):
- 2011/09 - 応用物理学会 応用物理学会 フェロー表彰
所属学会 (2件):
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