三好実人

ミヨシマコト | Miyoshi Makoto

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (1件)： http://miyoshi.web.nitech.ac.jp/index.html

研究分野 (4件)：電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学 , 結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (6件)：窒化物半導体 , 受光デバイス , 電子デバイス , 結晶工学 , 半導体工学 , -

競争的資金等の研究課題 (17件)：

2023 - 2026 窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発
2023 - 2024 次世代無線通信に向けた高周波GaN系バイポーラトランジスタの研究開発
2021 - 2024 超ワイドギャップAlN系半導体を用いたパワートランジスタの開発
2022 - 2024 移動体への光無線給電システムの研究開発
2020 - 2023 次世代無線通信システムに資する新構造・窒化物系バイポーラトランジスタの開発

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論文 (112件)：

Yoshinobu Kometani, Tomoyuki Kawaide, Ssakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi. AlN/AlGaN heterojunction field-effect transistors with a high-AlN-mole-fraction Al0.72Ga0.28N channel grown on a single-crystal AlN substrate by metalorganic chemical vapor deposition. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
Nan Hu, Takahiro Fujisawa, Akira Mase, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi. Improved performance of InGaN/GaN multiple-quantum-wells photovoltaic devices on free-standing GaN substrates with TMAH treatment. Solar Energy Materials and Solar Cells. 2024. 275. 15. 113025-1-113025-7
Kouki Noda, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kana Shibata, Youna Tsukada, Daichi Imai, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Takao Miyajima. Characterizations of the sub-bandgap optical absorption in an undoped-GaN and a 90-nm-thick Al1-xInxN thin film on a sapphire substrate grown by MOCVD. Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics. 2024. 2400029-1-2400029-7
Tomoyuki Kawaide, Yoshinobu Kometani, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi. Current collapse suppression in AlGaInN/GaN HEMTs with thin unintentionally doped GaN channel and AlN back barrier grown on single-crystal AlN substrate. Applied Physics Letters. 2024. 124. 18. 18210-1-18210-4
Takahiro Fujisawa, Nan Hu, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi. Over 43%-power-efficiency GaInN-based photoelectric transducer on free-standing GaN substrate for optical wireless power transmission system. Semiconductor Science and Technology. 2024. 39. 4. 045010-1-045010-6

MISC (31件)：

滝本将也, 間瀬晃, 小嶋智輝, 江川孝志, 三好実人. 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製. 電子情報通信学会技術研究報告. 2023
川出智之, 米谷宜展, 田中さくら, 江川孝志, 三好実人. 単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えた AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価. 電子情報通信学会技術研究報告. 2023. 122. 53-56
藤澤孝博, Hu Nan, 小嶋智輝, 江川孝志, 三好実人. 光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価. 電子情報通信学会技術研究報告. 2023. 122. 57-60
三好実人. 光無線給電の極限効率を目指すGaN系光電変換デバイス. 月刊OPTRONICS. 2023. 42. 10. 81-84
加藤一朗, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志. 極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価. 電子情報通信学会技術研究報告. 2023. 123. 20-23

特許 (75件)：

半導体装置および半導体装置用エピタキシャル基板
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャル基板及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ
半導体装置および半導体装置用エピタキシャル基板
紫外線発光素子
半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法

講演・口頭発表等 (242件)：

GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価
(電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2024)
GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討
(電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2024)
GaN の光熱偏向分光スペクトルと吸収係数の関係に関する考察
(第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
光無線給電用InGaN太陽電池の光学損失の検討
(第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
GaN系npn型HBTのベース層適用に向けたp型MQW構造の検討
(第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)

学歴 (2件)：

1990 - 1992 大阪大学基礎工学研究科物理系物性学分野
1986 - 1990 大阪大学基礎工学部物性物理工学科

学位 (1件)：

博士(工学) (名古屋工業大学)

経歴 (4件)：

2012/04 - 現在名古屋工業大学大学院工学研究科/極微デバイス次世代材料研究センター教授
2020/04/01 - 2021/03/31 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター客員教授
2011/03/01 - 2012/01/31 信越半導体株式会社半導体磯部研究所主任研究員
1992/04/01 - 2011/02/28 日本ガイシ株式会社研究開発本部主任研究員

受賞 (12件)：

2024/01 - 電子情報通信学会エレクトロニクスソサエティ電子デバイス (ED) 研究専門委員会電子情報通信学会電子デバイス (ED) 研究専門委員会論文発表奨励賞四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製
2023/11 - 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14 Outstanding Poster Award High-efficiency GaInN-based photovoltaic cells on free-standing GaN substrate for optical wireless power transmission system
2023/03 - IOP publishing IOP Outstanding Reviewer Awards 2022
2022/10 - International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022 The Best Poster Presentation AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate
2022/06/09 - 名古屋工業大学名古屋工業大学教員評価優秀賞

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所属学会 (1件)：

応用物理学会

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