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J-GLOBAL ID:201502200248782888   整理番号:15A1032195

選択的水熱合成による垂直整列ZnOナノロッドアレイに基づくUV光検出器の製作と最適化

Fabrication and Optimization of Vertically Aligned ZnO Nanorod Array-Based UV Photodetectors via Selective Hydrothermal Synthesis
著者 (3件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 10:323 (WEB ONLY)  発行年: 2015年12月 
JST資料番号: U7001A  ISSN: 1931-7573  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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垂直整列ZnOナノロッドアレイ(NRA)に基づく紫外線(UV)光検出器(PDs)を簡単な水熱プロセスにより製作した。シャドウマスク技術を使って,薄いZnOシード層電極をブリッジするパターン形成したAu/Ti電極間に析出させた。このように,二つのAu電極はZnOシード層により接続できた。試料を成長溶液中に浸漬し90°Cまで加熱すると,ZnO NRAsは結晶化しZnOシード層上に垂直に成長し,そして金属-半導体-金属PD構造を作った。ZnO NRAsのサイズ効果を調べるために各種成長溶液で直ちに製作した。濃度25mMで成長させたZnO NRAsに対して,チャネル幅(即ち,二つの電極間のギャップ距離)10μmのPDは,UV光照射の365nm下10Vの供給電圧で1.91×10-4Aの高い光電流を示した。PDはチャネル幅を調整して最適化した。チャネル幅15μmに対して,同じ供給バイアスにおいて比較的高い光電流オンオフ比37.4と良好な電流過渡特性が見られた。これらの結果は,コスト効率のよい実際的UV PDアプリケーションにとって有用であると期待される。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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測光と光検出器一般 

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