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J-GLOBAL ID：201502200395040005   整理番号：15A1080162

X線光電子分光法により測定された原子層蒸着高κAl₂O₃/多層MoS₂界面のバンドアライメント

Band alignment of atomic layer deposited high-k Al₂O₃/multilayer MoS₂ interface determined by X-ray photoelectron spectroscopy

著者 (15件)： LIU Xinke (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Shenzhen Engineering Lab. for Advanced Technol. of Ceramics, Shenzhen Key ...) ,  HE Jiazhu (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Shenzhen Engineering Lab. for Advanced Technol. of Ceramics, Shenzhen Key ...) ,  TANG Dan (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Shenzhen Engineering Lab. for Advanced Technol. of Ceramics, Shenzhen Key ...) ,  LIU Qiang (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., CAS ...) ,  WEN Jiao (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., CAS ...) ,  YU Wenjie (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., CAS ...) ,  LU Youming (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Shenzhen Engineering Lab. for Advanced Technol. of Ceramics, Shenzhen Key ...) ,  ZHU Deliang (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Shenzhen Engineering Lab. for Advanced Technol. of Ceramics, Shenzhen Key ...) ,  LIU Wenjun (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Shenzhen Engineering Lab. for Advanced Technol. of Ceramics, Shenzhen Key ...) ,  CAO Peijiang (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Shenzhen Engineering Lab. for Advanced Technol. of Ceramics, Shenzhen Key ...) ,  HAN Sun (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Shenzhen Engineering Lab. for Advanced Technol. of Ceramics, Shenzhen Key ...) ,  PAN Jisheng (Inst. of Materials Res. and Engineering, Agency for Sci. Technol. and Res., 117602, SGP) ,  LIU Wenjun (Dep. of Microelectronics, Fudan Univ., 220 Handan Road, Shanghai, 200433, CHN) ,  ANG Kah Wee (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, 4 Engineering Drive 3, 117583, SGP) ,  HE Zhubing (Dep. of Materials Sci. and Engineering, South Univ. of Sci. and Technol. of China, 1088 Xueyuan Road, Shenzhen ...)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 650  ページ： 502-507  発行年： 2015年11月25日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al₂O₃/多層(ML)-MoS₂間のエネルギーバンドアラインメントを,高分解能X線光電子分光法(XPS)を用いて特性化した。Al₂O₃を,原子層蒸着(ALD)法を用いて蒸着した。4.10eVの価電子バンドオフセットと3.41eVの伝導バンドオフセットが,ALD-Al₂O₃/ML-MoS₂界面を越えて得られた。比較のために,価電子バンドオフセットと伝導バンドオフセットを,ALD-SiO₂/ML-MoS₂界面に対しても得た。ALD-Al₂O₃/ML-MoS₂界面が,ALD-SiO₂/ML-MoS₂界面のものに較べて,より大きな伝導バンドオフセットを有していた。それがn型ML-MoS₂基FETのゲート誘電体としての役割を果たすALD-Al₂O₃がゲート漏れ電流の抑制に関してALD-SiO₂より有利であることを示した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： アラインメント ,  *バンドギャップ ,  バンド構造 ,  化学蒸着 ,  高分解能 ,  原子層エピタクシー ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  FET【トランジスタ】 ,  漏れ電流 ,  絶縁膜 ,  *誘電体薄膜 ,  *酸化アルミニウム ,  二酸化ケイ素 ,  硫化モリブデン ,  ゲート【半導体】
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 ,  *バンドアライメント ,  原子層蒸着 ,  *高κゲート誘電体

分類 (1件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： X線光電子分光法 ,  原子層蒸着 ,  Al2O3 ,  多層 ,  MoS2 ,  界面 ,  バンドアライメント