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J-GLOBAL ID：201502200557528694   整理番号：15A1025577

InGaAs/GaAs(001)界面における成長初期過程の転位のX線回折およびトポグラフ法を用いた観察

Misfit Dislocations of Initial Growth Stage in InGaAs/GaAs(001) Interface Observed Using X-ray Diffraction and Topography

著者 (6件)： 高比良潤 (宮崎大) ,  小寺大介 (豊田工大 大学院) ,  境健太郎 (宮崎大) ,  前田幸治 (宮崎大) ,  大下祥雄 (豊田工大) ,  鈴木秀俊 (宮崎大)
資料名： 宮崎大学工学部紀要(Web)  (Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki (Web))
号： 44  ページ： 71-75 (WEB ONLY)  発行年： 2015年07月31日 
JST資料番号： U0521A  ISSN： 0540-4924  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 格子不整合系III-V族半導体は超高効率多接合太陽電池として期待されている。しかし,この系ではミスフィット転位が形成され貫通転位が発生し効率を低下させる。転位はバーガースベクトルを求めることで種類を決めることができる。バーガースベクトルは転位によるすべり大きさと方向を示すためこれを求めることが歪み緩和過程に理解につながる。本研究では,GaAs(100)基板上のInGaAs薄膜における格子緩和初期の転位について逆格子マッピング法とXRT測定で観測し異方性や膜厚依存性,バーガースベクトルの方向について述べている。試料は分子線ビームエピタキー法により作製された。逆格子マッピング法では,転位が入ることでサテライトピークが出現し,その面積強度は膜厚と共に増加し,半値幅とサテライト間距離は減少した。よって,転位の振る舞いはIn組成に関係なく強い膜厚依存性があることがわかった。異方性については(110)方向の方が大きい。XRT測定によりα転位とβ転位が観察できた。バーガースベクトルの方向を同定した結果,その決定率は15%であった。バーガースベクトルの方向は4つの方向全てに現れており分布が大幅に偏っている傾向は見られなかった。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  基板 ,  ヒ化ガリウム ,  *構造緩和 ,  *転位【結晶】 ,  写像 ,  *依存性 ,  Burgersベクトル ,  異方性 ,  X線回折 ,  画像技術 ,  画像診断 ,  *X線トポグラフィー
準シソーラス用語： 格子緩和 ,  逆格子マッピング ,  *膜厚依存性 ,  バーガースベクトル

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (9件)： InGaAs ,  GaAs ,  界面 ,  成長 ,  初期 ,  過程 ,  転位 ,  X線回折 ,  観察