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J-GLOBAL ID：201502200582866316   整理番号：15A1390487

ポリマナノワイヤ電界効果トランジスタにおける低周波電子雑音の抑圧

Suppression of Low-Frequency Electronic Noise in Polymer Nanowire Field-Effect Transistors

著者 (8件)： LEZZI Francesca (Universita del Salento, Lecce, ITA) ,  LEZZI Francesca (Istituto Italiano di Tecnologia, Arnesano (LE), ITA) ,  FERRARI Giorgio (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  PENNETTA Cecilia (Universita del Salento, Lecce, ITA) ,  PENNETTA Cecilia (Istituto Nazionale di Fisica Nucleare (INFN), Sesto Fiorentino (FI), ITA) ,  PISIGNANO Dario (Universita del Salento, Lecce, ITA) ,  PISIGNANO Dario (Istituto Italiano di Tecnologia, Arnesano (LE), ITA) ,  PISIGNANO Dario (Istituto Nanoscienze, CNR, Lecce, ITA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 11  ページ： 7245-7252  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機分子材料のFETにおけるサイズ閉じ込めがフリッカ雑音に及ぼす効果を,導電性ポリマ(P3HT)ナノワイヤ(NW)に基づくFETを用いて10~10⁵Hzの周波数域で実験的に研究した。雑音を良く記述するHoogeのモデルにより解析し,電流揺らぎのパワースペクトルを記述するHoogeパラメータが,P3HT薄膜FETの場合に比してP3HT NW FETのときに1~2桁抑圧され,フリッカ雑音が低減することを示した。薄膜FETからNW FETへのHoogeパラメータの低減を,異方性と構造秩序を考慮した抵抗の二次元矩形格子ネットワークモデルを用いて説明した。結果はサイズ閉じ込めにより構造的な秩序が促され有機FETにおける雑音性能を改善することを示した。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *ポリヘキシルチオフェン ,  *FET【トランジスタ】 ,  *1/f雑音 ,  パラメータ ,  抵抗回路 ,  モデル ,  二次元 ,  雑音特性 ,  有機半導体 ,  導電性高分子
準シソーラス用語： Hoogeパラメータ ,  P3HT【重合体】 ,  *フリッカ雑音 ,  有機FET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ポリマ ,  ナノワイヤ電界効果トランジスタ ,  低周波 ,  電子 ,  雑音 ,  抑圧