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J-GLOBAL ID：201502200669538072   整理番号：15A0872942

正確にFermi準位を調整した半導性単層カーボンナノチューブを使った熱電素子の作製

Fabrication of thermoelectric devices using precisely Fermi level-tuned semiconducting single-wall carbon nanotubes

著者 (4件)： OSHIMA Yuki (Dep. of Physics, Tokyo Metropolitan Univ., 192-0397 Tokyo, JPN) ,  KITAMURA Yoshimasa (Dep. of Physics, Tokyo Metropolitan Univ., 192-0397 Tokyo, JPN) ,  MANIWA Yutaka (Dep. of Physics, Tokyo Metropolitan Univ., 192-0397 Tokyo, JPN) ,  YANAGI Kazuhiro (Dep. of Physics, Tokyo Metropolitan Univ., 192-0397 Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 107  号： 4  ページ： 043106-043106-3  発行年： 2015年07月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  Fermi準位 ,  *熱電素子 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  電気二重層 ,  キャリア注入 ,  電圧 ,  半導性 ,  輸送係数 ,  *熱起電力 ,  Seebeck係数 ,  熱電能
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  熱電力

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： Fermi準位 ,  半導性 ,  単層カーボンナノチューブ ,  熱電素子 ,  作製