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J-GLOBAL ID:201502201126779165   整理番号:15A0988661

ZnO/Cu/ZnO透明導電膜の特性に及ぼすアニーリングの影響【Powered by NICT】

Effects of Annealing on Properties of ZnO/Cu/ZnO Transparent Conductive Film
著者 (6件):
資料名:
巻: 43  号:ページ: 44-48  発行年: 2015年 
JST資料番号: C2125A  ISSN: 1001-4381  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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ZnO/Cu/ZnO透明導電性薄膜を室温でマグネトロンスパッタリング蒸着により調製した。ポストアニーリングの間の関係,構造,モルフォロジー,多層膜の電気的および光学的性質をX線回折(XRD),原子間力顕微鏡(A FM),走査電子顕微鏡(SEM),Hall効果測定システム及びUV-Vis分光光度計で調べた。結果は,ZnO膜は焼なまし前と後の(002)優先配向を有することを示した。アニーリング温度の上昇と共に,結晶化,結晶粒サイズと表面粗さが増加した。抵抗率は最初に減少し,その後増加したが,光透過率とバンドギャップエネルギーは最初増加し,それから減少した。150°CでアニールしたZnO/Cu/ZnO膜は可視域で90.5%の最も高い透過率,1.28×10~(-4)Ωcmの抵抗率とキャリア濃度4.10×10~(21)cm~(-3)の最良の性能を有した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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半導体薄膜 
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