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J-GLOBAL ID：201502201155797856   整理番号：15A0298478

閾値電圧不安定性の基本的メカニズムとSiC MOSFETの信頼性試験との関わり

Basic Mechanisms of Threshold-Voltage Instability and Implications for Reliability Testing of SiC MOSFETs

著者 (4件)： LELIS Aivars J. (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  GREEN Ron (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  HABERSAT Daniel B. (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  EL Mooro (U.S. Army Res. Lab., MD, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 2  ページ： 316-323  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCパワーMOSFETのバイアス温度ストレスにたいする閾値電圧安定性に影響する基本的メカニズムを,帯電と近界面酸化膜トトラップの活性化の観点でレビューした。約1.1eVの活性化エネルギーが新しい実験結果に基づいて計算された。バイアス温度ストレスで活性化される欠陥の回復を含む,これ等ファクターの改善されたデバイス信頼性試験との関わりを論じた。

シソーラス用語： *MOSFET ,  電力トランジスタ ,  電子 ,  捕獲 ,  信頼性 ,  信頼性試験 ,  *炭化ケイ素 ,  電圧 ,  レビュー ,  *不安定性 ,  機構
準シソーラス用語： SiC ,  トラップ【固体】 ,  パワーMOSFET ,  メカニズム ,  *閾値電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 閾値電圧 ,  不安定性 ,  メカニズム ,  SiC ,  MOSFET ,  信頼性試験