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J-GLOBAL ID:201502201247636973   整理番号:15A1098312

GaNベースβ輻射ボルト効果マイクロ電池のための最適化設計研究

著者 (4件):
資料名:
巻: 42  号:ページ: 467-472  発行年: 2012年 
JST資料番号: C2585A  ISSN: 1674-7259  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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β輻射ボルト効果同位元素マイクロ電池が小体積、稼動安定性、長寿命、高エネルギー密度、高抗外乱性などのメリットがあるため、マイクロエネルギー研究の方向となってきた。本文では、半導体物理理論をベースとして、ワイドバンドギャップ半導体材料GaNと放射性同位元素(147)Pmに基づく同位元素マイクロ電池最適化設計方法を提案した。同位体ソースの自己吸収効果を導入し、モントカロープログラムMCNPで半導体材料にパーティクルの輸送プロセスを模擬し、同位元素ソースと半導体材料の最適化厚さ、半導体材料PN接合深さ、 空乏領域厚さ、混入濃度、および電子正孔対の発生と収集状況に対して研究と分析を行った。提案された輻射ボルト効果同位元素マイクロ電池の最適化設計案は実現可能である。(147)Pmの一回減衰がエネルギー変換に沈積されたエネルギーは28.2keVであり、同位元素電池の短絡電流密度が1.636μA/cm2、オープン電圧が3.16V、エネルギー変換率が13.4%である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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分類 (2件):
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システムプログラミング一般  ,  数値計算 

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