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J-GLOBAL ID：201502201318404407   整理番号：15A0229593

多重フェムト秒レーザパルスで駆動するGe₂Sb₂Te₅相変化メモリ薄膜の制御可能な結晶化

Controllable crystallization of Ge₂Sb₂Te₅ phase-change memory thin films driven by multiple femtosecond laser pulses

著者 (5件)： YANG Qiusong (Key Lab. of High Power Laser Materials, Shanghai Inst. of Optics and Fine Mechanics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  CAI Zhilong (Key Lab. of High Power Laser Materials, Shanghai Inst. of Optics and Fine Mechanics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  WANG Yang (Key Lab. of High Power Laser Materials, Shanghai Inst. of Optics and Fine Mechanics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  HUANG Huan (Key Lab. of High Power Laser Materials, Shanghai Inst. of Optics and Fine Mechanics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  WU Yiqun (Key Lab. of High Power Laser Materials, Shanghai Inst. of Optics and Fine Mechanics, Chinese Acad. of Sciences ...)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 193  ページ： 189-197  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,多重フェムト秒レーザパルスで駆動する堆積したままのGe₂Sb₂Te₅相変化メモリ薄膜の制御可能な結晶化を詳細に調べた。実時間反射率測定と二温度模型を用いてパルスフルエンスとパルス数の閾値効果を包括的に解析した。異なる光学的過渡現象が三種の結晶化過程が低い,中程度および高いフルエンスで起こることを示した。これらの結果は超高速相転移機構へのさらなる洞察を与え,相変化メモリ材料を用いたプログラム可能な多レベル論理素子の設計に有用である。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  薄膜 ,  *フェムト秒 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *アンチモン化合物 ,  *テルル化物 ,  反射率 ,  フルエンス ,  閾値 ,  過渡現象 ,  *結晶化 ,  論理素子 ,  レーザパルス ,  ポンププローブ法 ,  パルスレーザ照射
準シソーラス用語： *相変化メモリ

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多重 ,  フェムト秒レーザパルス ,  相変化メモリ ,  薄膜 ,  結晶化