文献

J-GLOBAL ID：201502201356312118   整理番号：15A0922283

新しい特性評価技術により明らかになった抵抗スイッチングメモリにおける導電性フィラメントの三次元構造

A novel characterization technique unveils the 3D structure of conductive filaments in resistive switching memories

著者 (1件)： CELANO Umberto (imec, Leuven, BEL)
資料名： Solid State Technology  (Solid State Technology)
巻： 58  号： 4  ページ： 20-22  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FinFETsのような三次元デバイスや垂直NANDやフラッシュメモリのような積層可能アーキテクチャの出現により,三次元(3D)キャラクタリゼーションの重要性が増している。これらの技術では,3D形状の観察だけではなく,3Dナノ構造デバイスの電気的性質も解析することが重要である。本稿では,伝導性原子間力顕微鏡トモグラフィー(scalpel C-AFM)と呼ぶ新しい3Dキャラクタリゼーション技術を紹介した。この技術によるRRAMの一種,導電性ブリッジングRAM(CBRAM)メモリデバイスにおける導電性フィラメントの解析例を紹介した。

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  構造 ,  三次元 ,  FET【トランジスタ】 ,  NAND回路 ,  フラッシュメモリ ,  *原子間力顕微鏡 ,  RAM【メモリ】 ,  *フィラメント ,  導電性
準シソーラス用語： FinFET ,  RRAM ,  三次元構造 ,  *導電性フィラメント

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 特性評価 ,  抵抗スイッチングメモリ ,  導電性フィラメント ,  三次元構造