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J-GLOBAL ID：201502201761343372   整理番号：15A0505976

P-B共ドープシリコンナノ構造における単一リンドナーとホウ素アクセプタとの間の相互作用の第一原理計算

First-principle calculations of the interactions between single phosphorus donor and boron acceptor in the P-B co-doped silicon nanostructures

著者 (6件)： ANH Le The (JAIST) ,  MORARU Daniel (Shizuoka Univ.) ,  MURUGANATHAN Manoharan (JAIST) ,  TABE Michiharu (Shizuoka Univ.) ,  MIZUTA Hiroshi (JAIST) ,  MIZUTA Hiroshi (Univ. of Southampton)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.11P-A23-6  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノ結晶 ,  *リン ,  *ホウ素 ,  *ドーピング ,  近距離相互作用 ,  ドーパント ,  波動関数 ,  *第一原理 ,  ナノ構造 ,  HOMO ,  LUMO ,  *PN接合 ,  基底状態 ,  ドナー ,  アクセプタ
準シソーラス用語： *共ドーピング

分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： リン ,  ドナー ,  ホウ素 ,  アクセプタ ,  相互作用 ,  第一原理計算