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J-GLOBAL ID：201502201933607083   整理番号：15A0298490

電力スイッチング用の低損失高電圧III-ナイトライドトランジスタ

Low-Loss and High-Voltage III-Nitride Transistors for Power Switching Applications

著者 (2件)： KUZUHARA Masaaki (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  TOKUDA Hirokuni (Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 2  ページ： 405-413  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿は電力スイッチング用のIII-ナイトライドトランジスタに関する最近の技術進捗を記す。特にAlGaN/GaN HEMTのブレークダウン電圧向上,オン抵抗低減,電流コラプス抑制,リーク電流低減に注目する。最近の文献ではAlGaN/GaN HEMTのオン抵抗とブレークダウン電圧トレードオフ関係はSiCの限界を超えることが示されているが,ブレークダウン電圧は理論的イオン化限界よりも依然低い。Alを含んだメタルスタックの歪制御アニーリングを使った新プロセスは,AlGaN/GaNヘテロ構造のオン抵抗を大きく下げることが期待される。Zr/Al/Mo/Auメタルスタックはコンタクト抵抗低減に有効であり,300°Cでのデバイス安定性が改善される。電流コラプスを抑制する方法は,エピタキシャル層中のバルクトラップを減らすと同時に,表面処理の最適化で表面トラッピング効果を制御する必要を示している。

シソーラス用語： 電圧 ,  電流電圧特性 ,  窒化ガリウム ,  漏れ電流 ,  *HEMT ,  オン抵抗 ,  損失 ,  *高電圧 ,  アルミニウム化合物 ,  制御 ,  焼なまし ,  層 ,  電子 ,  捕獲 ,  エピタキシャル層 ,  電流コラプス ,  歪制御 ,  窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  電子トラップ ,  絶縁破壊電圧
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  GaN ,  アニーリング ,  ゲートリーク ,  トラップ【固体】 ,  フィールドプレート ,  ブレークダウン電圧 ,  *低損失

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： スイッチング ,  低損失 ,  高電圧 ,  ナイトライド ,  トランジスタ