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J-GLOBAL ID：201502201938428200   整理番号：15A0959455

スマート社会に向けて進歩するMEMS技術 金属接合による集積化技術と真空ウェハ接合装置

著者 (2件)： 平野栄樹 (東北大 マイクロシステム融合研究開発セ) ,  引地広介 (テクノファイン)
資料名： 金属  (Metals Sciece & Technology)
巻： 85  号： 9  ページ： 716-721  発行年： 2015年09月01日 
JST資料番号： F0157A  ISSN： 0368-6337  CODEN： KNZKA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 別々に製造したLSIやMEMSなどの異種要素をウェハレベルでの接合を用いて集積化する方法は,LSIや他の要素をそれぞれ最適な工程や材料で製造できるため,LSIの付加価値を上げる手段として期待されている。本稿では,それぞれの要素を機械的かつ電気的に接続でき,同時に脆弱な部分を封止した状態でのパッケージングが可能な金属接合技術について紹介した。まず,TLP接合とウェハ接合装置の開発について概説する。TLP接合とは低融点金属(Sn)の介在により表面凹凸を埋め,接合後は他の金属(Cu)との高融点の金属間化合物を形成し接合する技術(接合は350°C以下)である。次に,切削平坦化バンプによる真空封止接合について概説した。開発したプロセスは段差のある基板にめっき法にて10μmの金パンプを形成後,表面切削により平坦化し,対向する基板(SOI)上に厚さ200nm金パッドに真空用ダイアフラムを形成し,比較的低温で封止する技術である。

シソーラス用語： *半導体金属接合 ,  ハーメチックシール ,  ICパッケージ ,  ウエハ【IC】 ,  テンションレグプラットフォーム ,  異種金属溶接 ,  *MEMS ,  *高密度実装 ,  低融点金属 ,  金属間化合物 ,  金めっき ,  スズ ,  銅 ,  インテリジェント材料 ,  微細加工 ,  拡散接合 ,  ろう付 ,  *接合
準シソーラス用語： ウエハレベルパッケージング ,  スマート材料 ,  液相拡散溶接 ,  気密封止 ,  集積化

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  ろう付  (WC07050C)

タイトルに関連する用語 (7件)： 社会 ,  MEMS ,  金属接合 ,  集積化 ,  真空 ,  ウェハ ,  接合装置