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J-GLOBAL ID：201502202004638680   整理番号：15A0147520

LaAlO_3の電子構造に及ぼすエピタキシャル歪効果の第一原理研究【Powered by NICT】

First-principles Investigation of the Epitaxial Strain Effects on the Electronic Structure of LaAlO_3

著者 (5件)： Xu Lichun (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Technol., Beijing) ,  Liu Liying (Coll. of Applied Sciences, Beijing Univ. of Technol., Beijing) ,  Wang Ruzhi (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Technol., Beijing) ,  Deng Yang (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Technol., Beijing) ,  Yan Hui (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Technol., Beijing)
資料名： Beijing Gongye Daxue Xuebao  (Beijing Gongye Daxue Xuebao)
巻： 40  号： 10  ページ： 1565-1569  発行年： 2014年 
JST資料番号： C2401A  ISSN： 0254-0037  CODEN： BGDXD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 立方晶LaAlO_3(LAO)のエピタキシャル歪効果とBorn有効電荷を調べ,密度汎関数理論に基づく第一原理を使用している。状態密度(DOS)の結果からLAO,La-d,Als,pとO-pのMulliken分布を軌道電子の支配的な役割があり,Al-O軌道混成効果は,相対的に大きいのである。格子界面における応力-歪の下で,LAOのポテンシャル井戸曲線は単一井戸を示し,伝統的な強誘電二重井戸曲線に異なっていた。Al原子の相対変位のエネルギー変化も基底状態におけるLAOの強誘電歪は非常に弱いか否かを示した。Born有効電荷の分析では,Al-O軌道混成効果(電荷移動)は強誘電歪に必要なエネルギーに達し,LAO強誘電性を残さないしなかったことを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電子構造 ,  *エピタクシー ,  *第一原理 ,  立方晶系 ,  有効電荷 ,  密度汎関数法 ,  状態密度 ,  ポテンシャル ,  *アルミニウム ,  基底状態 ,  強誘電性
準シソーラス用語： *歪効果 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 計算機網  (JC03000K) ,  下水,廃水の化学的処理  (SC03050W) ,  セメントの性質・分析  (YC05040F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子構造 ,  エピタキシャル ,  歪効果 ,  第一原理 ,  研究