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J-GLOBAL ID：201502202135143911   整理番号：15A0851372

光触媒的H₂発生での相反する可視光活性のための広いバンドギャップを有するZnSの欠陥工学と相接合構造

Defect Engineering and Phase Junction Architecture of Wide-Bandgap ZnS for Conflicting Visible Light Activity in Photocatalytic H₂ Evolution

著者 (9件)： FANG Zhibin (Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN) ,  WENG Sunxian (Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN) ,  YE Xinxin (Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN) ,  FENG Wenhui (Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN) ,  ZHENG Zuyang (Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN) ,  LU Meiliang (Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN) ,  LIN Sen (Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN) ,  FU Xianzhi (Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN) ,  LIU Ping (Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 7  号： 25  ページ： 13915-13924  発行年： 2015年07月01日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnS(EN)0.5(EN=エチレンジアミン)を前駆体とする修飾された水熱処理とソルボサーマル処理による温度依存の相転移によって,閃亜鉛鉱型-ウルツ鉱型の相接合を有する欠陥ZnSシステムを構築した。理論的計算と実験結果から,イオウ空孔の2重の機能,すなわち(1)可視光応答の誘起のためのZnSの光増感ユニットと(2)プロトンの還元によるH₂の発生に利用される光誘起された電子をトラップする活性サイトを提案した。共存する閃亜鉛鉱型-ウルツ鉱型相接合によって電荷担体の移動動力学が促進され,その結果効果的な分離が起こる。イオウ空孔と相接合の相乗作用によって,広いバンドギャップを有するZnSの可視光照射下でのH₂発生のために好ましい光触媒活性が発現する。本研究の知見は,広いバンドギャップを有する半導体での光触媒作用の実現だけでなく,高効率遷移金属スルフィド光触媒の設計に関する展望の拡大にも寄与すると期待できる。

シソーラス用語： *硫化亜鉛 ,  *バンドギャップ ,  化学合成 ,  *光触媒 ,  触媒活性 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  相転移 ,  *欠陥 ,  *水素発生反応 ,  *可視光 ,  *圧接 ,  触媒調製 ,  計算 ,  アルキレンジアミン ,  ジアミン ,  第一アミン
準シソーラス用語： ソルボサーマル合成 ,  *ワイドバンドギャップ ,  *固相接合 ,  *相欠陥 ,  第一原理計算

分類 (2件)： その他の触媒  (CB06123Z) ,  光化学反応  (CB08020F)

物質索引 (1件)： エチレンジアミン

タイトルに関連する用語 (8件)： 光触媒 ,  H2 ,  光活性 ,  バンドギャップ ,  ZnS ,  欠陥 ,  工学 ,  接合構造